产品概述:FDMS86101DC - N通道MOSFET
引言
FDMS86101DC是安森美(ON Semiconductor)推出的一款高性能N通道MOSFET,专为需要高效能、高可靠性和广泛应用的电子设备设计。其具备优异的电气特性和热管理能力,适用于多种工业和消费类应用。
关键特性
电压与电流参数:
- 漏源电压(Vdss)高达100V,支持在高电压环境下安全工作。
- 连续漏极电流(Id)为14.5A(在25°C环境下),相应地,在适当冷却条件下(Tc),可达到高达60A的工作能力。这使其非常适合需要大电流的应用。
导通电阻与门极特性:
- 在10V的栅极驱动电压下,最大导通电阻(Rds On)仅为7.5毫欧(在14.5A电流下),实现极低的功耗和发热。
- 正常工作条件下,门阈电压(Vgs(th))的最大值为4V(在250µA漏电流时),确保在较低的驱动电压下达到可靠的导通控制。
输入特性:
- 输入电容(Ciss)在50V时的最大值为3135pF,提供良好的输入特性,降低开关损耗,提高系统运行效率。
- 门极电荷(Qg)最大值为44nC(在10V下),确保驱动电路能以较低的功耗迅速开关。
热管理能力:
- 功率耗散能力方面,FDMS86101DC能够在环境温度下(Ta)支持最大3.2W的功率,且在适当冷却下(Tc)可承受高达125W的功率消耗。这使其在高功率应用中表现优异,并延长了器件的使用寿命。
工作环境:
- 该产品的工作温度范围非常宽广,从-55°C到150°C,适用于严酷的环境条件,同时保证器件的稳定运行。
封装规格:
- FDMS86101DC采用Dual Cool™56封装,采用8-PowerTDFN(5x6 mm)设计,适合表面贴装,充分满足对空间和热量的严格要求。
应用领域
FDMS86101DC广泛应用于多个领域,包括但不限于:
- 电源管理系统:用于DC-DC转换器、高效率的电源适配器及充电器。
- 电动工具:高效且耐用的驱动解决方案。
- 自动化与机器人:在电机驱动和控制系统中,发挥出其卓越的性能。
- 消费电子产品:例如电脑、手机及其它便携设备中,实现高效供电和热管理。
结语
FDMS86101DC是安森美的一款高效能N通道MOSFET,它的出色性能参数、宽广的操作温度以及合理的封装设计,使其在现代电子电气应用中占据了重要地位。凭借其强大的电流承载能力和低功耗特性,该器件能够满足从消费电子到工业自动化各种 demanda,对提升系统性能、降低功耗发挥着关键作用。