型号:

MMBZ5241BLT1G

品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
MMBZ5241BLT1G 产品实物图片
MMBZ5241BLT1G 一小时发货
描述:稳压二极管 独立式 11V 10.4V~11.55V 2uA@8.4V
库存数量
库存:
1135
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.147
3000+
0.13
产品参数
属性参数值
二极管配置独立式
稳压值(标称值)11V
反向电流(Ir)2uA
稳压值(范围)10.4V~11.55V
耗散功率(Pd)225mW
阻抗(Zzt)22Ω
阻抗(Zzk)600Ω
工作结温范围-65℃~+150℃

MMBZ5241BLT1G 产品概述

一、产品简介

MMBZ5241BLT1G 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款独立式稳压二极管(Zener diode),封装为 SOT-23,适用于低功耗、小体积稳压与过压保护场合。该器件标称稳压值为 11V,实际稳压范围为 10.4V ~ 11.55V,适合用作参考电压、基准源或轻负载的电压钳位元件。

二、关键电气参数

  • 稳压(标称):11V
  • 稳压范围:10.4V ~ 11.55V(按器件批次与测试条件有所浮动)
  • 反向电流 Ir:2 μA(测试条件说明:2 μA @ 8.4V,表现为在偏低电压下的泄漏电流)
  • 阻抗 Zzk:600 Ω(表示在“膝点”低电流区域的动态阻抗,反映低电流时电压变化敏感度)
  • 阻抗 Zzt:22 Ω(表示在测试电流下的稳压阻抗,越低表示稳压性能越稳定)
  • 功耗 Pd:225 mW(器件允许的最大耗散功率,应按热阻与环境温度做降额处理)
  • 工作结温范围:-65 ℃ ~ +150 ℃

以上参数为器件在规定测试条件下的典型/最大值,具体应用时请参考器件完整 datasheet 以获取测试电流、温度与测量点等细节。

三、封装与热特性

器件采用 SOT-23 小型封装,适合表面贴装(SMT)工艺。SOT-23 的热阻较塑封大功率元件高,因此 225 mW 的功耗在实际电路中通常属于低功率、间歇性或在良好散热条件下使用。建议在 PCB 设计时:

  • 为器件引脚及周围铜箔留足面积以利散热;
  • 如长期工作在较高功率或较高环境温度下,应进行热降额(参照 datasheet 的 Pd‑vs‑Tj 曲线);
  • 注意焊接工艺对封装温度的影响,按推荐回流曲线操作。

四、典型应用场景

  • 低功耗电压基准或参考源(例如供给模数转换器参考、基准偏置)
  • 电源轨过压保护(作为钳位元件限制电压突升)
  • 信号级电压限制与电平移位
  • 便携设备、消费电子、仪表及传感器前端的局部稳压

由于器件的稳压阻抗在测试电流下为 22 Ω,适合用于微安到数毫安级的稳压需求;对于需要高精度或大电流稳压场合,应考虑精密基准或更大功率的稳压器件。

五、使用建议与电路注意事项

  • 在设计中尽量保证通过稳压二极管的电流处于 datasheet 推荐的测试区间,以获得更稳定的稳压值;低电流区(膝点)电压会显著随电流变化(Zzk 较高)。
  • 避免长期在接近 Pd 最大值下工作;对于间歇性冲击可接受短时高功率,但需保证平均功耗在安全范围内。
  • PCB 布局时将相关接地与热散区域靠近器件,必要时增加焊盘铜面积或热沉。
  • SOT-23 的引脚排列和极性请以官方封装图为准,安装前核对丝印与封装方向。

六、选型与采购提示

MMBZ5241BLT1G 作为独立式 11V 稳压二极管,适合对成本和尺寸敏感、且稳压电流较小的应用。采购时注意:

  • 选择正规渠道以确保原厂正品与批次一致性;
  • 如对稳压精度或阻抗有严格要求,应索取并核对完整 datasheet 与样片测试报告;
  • 大批量使用时建议与供应商沟通批次一致性与参数分布。

七、总结

MMBZ5241BLT1G 提供了封装紧凑、适用于低功耗场景的 11V 稳压解决方案。凭借 SOT-23 的小体积和典型的低电流性能,它在便携与空间受限的电子设备中具有良好适用性。设计时需结合稳压工作电流、功耗与散热条件进行合理布局与降额,以确保长期可靠性。若需更高精度或更大功率,请参考安森美的其它系列或咨询技术支持。