MMBZ20VALT1G

产品概述：MMBZ20VALT1G

概述

MMBZ20VALT1G 是一款高性能的齐纳二极管，专为过电压保护和静电放电 (ESD) 抑制应用设计。作为安森美（ON Semiconductor）公司制造的一款表面贴装器件，MMBZ20VALT1G 在多种电子电路中提供可靠的保护，确保设备在各种工作条件下安全运行。

基本参数

• 类型：齐纳二极管
• 单向通道：2
• 反向断态电压（典型值）：17V
• 击穿电压（最小值）：19V
• 最大电压 - 箝位（不同 Ipp）：28V
• 峰值脉冲电流（10/1000µs）：1.4A
• 峰值脉冲功率：40W
• 电源线路保护：无
• 工作温度范围：-55°C 到 150°C（TJ）

封装与安装

MMBZ20VALT1G 采用 SOT-23-3（TO-236）封装，适合表面贴装 (SMT) 应用，符合现代电子设备对小型化、节省空间的需求。SOT-23 封装具有良好的散热性能和电气连接，使其在高温工作环境和高频应用中表现出色。

主要应用

MMBZ20VALT1G 的主要应用领域包括：

• 电子设备保护：广泛用于移动设备、计算机、家用电器等电子产品中，以保护敏感组件免受瞬态电压和过电压的影响。
• ESD 保护：此器件能有效抑制来自静电放电的尖峰电压，保障电路的稳定性和安全性。
• 通用电路保护：适用于各种电源线路和信号线的保护，确保电路在电涌和瞬态干扰下不受损害。

性能优势

1. 高击穿电压：MMBZ20VALT1G 的最小击穿电压为19V，适用于需要高反向电压保护的应用场景，能够有效保护下游电路。
2. 良好的瞬态响应：其峰值脉冲电流能力可达1.4A，使其能够快速响应突发电压，降低对其他电路元件的风险。
3. 广泛的工作温度范围：-55°C 至 150°C 的温度范围使得此器件适合各种恶劣环境和工业应用。
4. 表面贴装设计：配合 SOT-23 封装，易于自动化组装，适合现代高效的生产线。

结论

作为一款兼具张力和灵活性的齐纳二极管，MMBZ20VALT1G 不仅在电气性能上表现卓越，还因其小巧的结构设计和良好的散热特性，在各种电子应用中广受欢迎。无论是在高频信号传输、静电放电防护，还是在电源线路的过压保护方面，此器件均能提供优秀的保障，是设计工程师和产品开发者的理想选择。选用 MMBZ20VALT1G，便是选择了可靠和高效的电路保护方案。