型号:

MMBZ15VDL,215

品牌:Nexperia(安世)
封装:TO-236AB
批次:-
包装:编带
重量:1g
其他:
MMBZ15VDL,215 产品实物图片
MMBZ15VDL,215 一小时发货
描述:ESD Suppressor TVS Uni-Dir/Bi-Dir 12.8V 3-Pin SOT-23 T/R
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200+
0.308
1500+
0.268
3000+
0.237
产品参数
属性参数值
反向截止电压(Vrwm)12.8V
最大钳位电压21.2V
峰值脉冲功率(Ppp)40W
击穿电压14.3V
通道数双路
工作温度-55℃~+150℃@(Ta)
类型ESD

产品概述:MMBZ15VDL,215

MMBZ15VDL,215是安世(Nexperia)推出的一款高性能ESD抑制器,采用表面贴装型封装(TO-236AB),专为汽车级应用设计。该器件具有优良的电气规格以及可靠的工作性能,为电子设备的保护提供了有效的解决方案。

主要特性

  1. 类型与结构:MMBZ15VDL,215是一款齐纳二极管(Zener Diode),能够有效地在高压情况下保护其他敏感元器件。其单向通道设计确保了在反向电压发生时的电流导通和极限保护。

  2. 电压规格

    • 反向断态电压:该器件的典型反向断态电压为12.8V,最大值为12.8V,确保了在正常工作及异常情况下的优越性能。
    • 击穿电压:其最小击穿电压为14.3V,能够在一定的反向电压条件下迅速响应,实现电路保护。
    • 电压箝位:在电流冲击(不同Ipp条件下),其最大箝位电压可达到21.2V,有效限制了电路中瞬态电压的峰值。
  3. 电流处理能力:该器件能够处理高达1.9A的峰值脉冲电流(10/1000µs),同时提供40W的峰值脉冲功率。此特性使其在遭遇短暂电流激增的情况下仍能保持稳定,保护敏感的电子模块不受损坏。

  4. 高频特性:在1MHz的频率下,该器件的电容值为85pF,表明其在高频应用中的有效性。低电容特性可降低信号损失及波形畸变,适合在高速信号环境中使用。

  5. 宽广的工作温度范围:MMBZ15VDL,215具有-55°C至150°C的宽广工作温度范围,确保在极端环境下的可靠性,适合各种严苛条件下的汽车电子应用。

应用领域

由于其优异的电气特性,MMBZ15VDL,215广泛应用于汽车电子设备、电机控制器、传感器保护、数据通信及其他对ESD保护有高要求的电子系统中。在汽车电子领域,随着智能化程度的提升,对电流瞬变的免疫能力愈发重要,而此款器件能够有效隔离瞬态电压对系统的影响,确保其稳定运行。

安装与封装

MMBZ15VDL,215采用TO-236AB封装,适合于表面贴装技术。此种封装结构不仅能够减少PCB空间的占用,提高元件的集成度,同时简化了射频和高速数字电路的布局设计,适合现代电子产品的轻量化与小型化趋势。

总结

总的来说,MMBZ15VDL,215是一款优秀的ESD保护器件,具备性能稳定、响应迅速、耐高温等特色,适合在多种电气和电子设备中使用,尤其在汽车及工业自动化场合展示了其独特的价值。凭借Nexperia作为全球知名的半导体品牌,用户可以放心选择此款器件来提升其产品的可靠性与耐用性。