MM3Z3V0ST1G 产品概述

一、产品简介

MM3Z3V0ST1G 是安森美（ON Semiconductor）出品的一款独立式稳压二极管（离散型齐纳二极管），标称稳压值 3.0V，实际稳压范围为 2.9V ~ 3.11V。器件采用 SOD-323 小型表面贴装封装，适用于需要微型电压基准、浪涌钳位或低功耗稳压的便携式与空间受限电路。

二、主要电气参数

• 稳压值（标称）：3.0V
• 稳压值（范围）：2.9V ~ 3.11V
• 反向电流 Ir：10 µA @ 1V（低电压下的漏电特性）
• 阻抗 Zzk：1 kΩ（表征转折区或低电流下的阻抗特性）
• 阻抗 Zzt：100 Ω（在测试电流下的动态阻抗）
• 耗散功率 Pd（最大）：300 mW

这些参数表明该型号在低电流条件下可提供较稳定的电压参考，但封装和耗散能力限制了其在高电流长期工作时的应用。

三、应用场景

• 小电流电压参考：用于模拟电路或ADC/DAC前端需要的3V参考源（注意参考精度受电流与温度影响）。
• 过压保护与浪涌钳位：在输入侧或敏感节点对短时过压进行钳位保护。
• 基本稳压模块与偏置电路：为晶体管基极、电平转换电路等提供简单稳压或电压钳位。
• 低功耗便携设备：在待机或低功耗模式下的局部参考或保护。

四、封装与热管理建议

SOD-323 为极小型表面贴装封装，优点是占板面积小、适合高密度布局；缺点是热阻较大，持续耗散能力受限。理论上 Pd/Vz 可估算出极限电流：300 mW / 3 V ≈ 100 mA，但在实际电路中应考虑封装散热、PCB铜箔面积及环境温度，实际允许连续电流远低于该值。建议：

• 设计时按厂商数据手册的热阻与降额曲线进行留量；
• 在需要较大散热时增加焊盘铜箔面积并靠近散热层；
• 对连续工作电流采用限流电阻或恒流设计，避免长期在近额定耗散功率下运行。

五、选型与使用注意

• 若电路对参考电压精度和温漂要求较高，应选用精密基准 IC 而非此类离散齐纳；
• 在高阻抗或微安级测量电路中，10 µA 的反向电流可能引入偏差，应评估其影响；
• 动态阻抗 Zzt（100 Ω）表明在载荷变化时电压会有一定摆动，需配合滤波或缓冲电路使用；
• 参考厂家完整数据手册以获取测试条件（如测试电流 IZ、温度系数、最大结温等）并据此进行电路仿真与热设计。

六、订购信息与资料查询

型号：MM3Z3V0ST1G，品牌：ON（安森美），封装：SOD-323。建议在设计阶段下载并参照 ON Semiconductor 的原厂数据手册，获取完整的电气特性曲线、典型应用电路及可靠性信息，以保证在目标工况下的可靠运行。