MMB02070C8202FB200 产品概述
一、产品简介
MMB02070C8202FB200 是威世(VISHAY)系列薄膜表面贴装电阻的代表型号,采用 MELF-0207 圆柱形封装,标称阻值 82 kΩ,精度 ±1%,温度系数(TCR)±50 ppm/℃。该器件面向对稳定性、低噪声和长期可靠性有较高要求的精密电路以及宽温区应用场合设计,适用于精密测量、仪表、工业控制和航空航天等领域。
注:给定参数中存在关于额定功率的描述差异(有资料标注 1 W,也有 400 mW)。本概述以常见 MELF-0207 系列应用场景和销售说明为准,默认工作功率采用资料中常见的 400 mW 连续功率;如需在更高连续功率或特定散热条件下使用,请以官方数据手册为准并与供应商确认。
二、主要电气与环境参数
- 阻值:82 kΩ(标称)
- 精度:±1%
- 温度系数:±50 ppm/℃(典型)
- 额定功率:资料标注 400 mW(存在文档差异,详见说明)
- 工作电压:350 V(最大工作电压)
- 工作温度范围:-55 ℃ ~ +155 ℃
- 元件类型:薄膜电阻,SMD,MELF-0207 封装
三、结构与特性亮点
- 薄膜工艺:薄膜电阻具有低噪声、良好长期稳定性和较小的电阻偏移,适合精密信号路径。
- MELF-0207 封装:圆柱体端面电极形式,焊接可靠、焊点应力分散,抗热冲击和振动性能优于部分片式封装。
- 宽温工作:-55 ℃ 至 +155 ℃ 的承受能力,使其可用于严苛环境与高可靠性场合。
- 高电压能力:350 V 的工作电压适用于高压分压器和隔离测量电路。
四、典型应用场景
- 精密电压分压器、参考源和滤波网络
- 自动化测控与数据采集系统中的前端电阻
- 医疗和航空电子中的高可靠性电阻元件
- 高频低噪声模拟电路、仪器放大器偏置与反馈网络
五、使用与装配建议
- 焊接工艺:MELF 为圆柱体结构,推荐使用符合厂家推荐的回流温度曲线和波峰/选择性焊接工艺,避免因过热引起的阻值漂移或封装损伤。
- 机械应力:避免在器件端部施加过大机械力或弯曲应力,取放时使用专用真空吸笔,防止滚动或跌落造成端面损伤。
- 功率与降额:在高环境温度下应遵循降额曲线,确保器件实际耗散功率低于额定值;对于脉冲功率应用需与制造商确认脉冲能力。
- 清洗与湿度:遵循 VISHAY 推荐的清洗和干燥步骤,避免长期潮湿环境导致焊接和封装问题。
六、可靠性与选型注意事项
- 长期漂移与负载寿命:薄膜电阻通常具有较小的长期漂移,但具体寿命特性与应用的温度循环、功率应力有关,建议查看厂商的负载寿命测试数据(Load Life)。
- 温度系数匹配:±50 ppm/℃ 的 TCR 对多数精密应用足够,但在极高精度温度补偿场合,可能需要更低 TCR 的器件或配对匹配设计。
- 订购与替代:在批量采购前,请向供应商索取最新数据手册和原厂认证;如需替代型号,优先选择相同封装、同等或更好 TCR/精度和电压等级的薄膜 MELF 器件。
七、结语
MMB02070C8202FB200 凭借薄膜工艺与 MELF-0207 封装,在精密、宽温和高可靠性场合具备明显优势。为确保在特定设计中表现稳定,建议在最终选型前核实厂商最新数据手册,确认额定功率、降额曲线与焊接工艺要求,并在样片验证中关注温漂、负载寿命和机械可靠性。