型号:

FDC6333C

品牌:ON(安森美)
封装:SuperSOT™-6
批次:22+
包装:编带
重量:0.046g
其他:
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描述:未分类
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商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.54
100+
1.23
750+
1.1
1500+
1.03
3000+
0.98
产品参数
属性参数值
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)220mΩ@4.5V,1.7A
功率(Pd)900mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.8V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)6.6nC@15V
输入电容(Ciss@Vds)282pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)20pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

FDC6333C 产品概述

1. 引言

FDC6333C 是由安森美半导体(ON Semiconductor)制造的一款高效能场效应晶体管(FET)。采用SuperSOT™-6封装,FDC6333C 设计用于低功耗、高性能的逻辑电平开关应用,广泛应用于消费电子、工业控制和通讯设备中。

2. 技术规格

FDC6333C 具有 N 和 P 沟道 FET 类型,适合不同应用需求。以下是其主要技术参数:

  • 漏源电压(Vdss): 最高可承受30V,确保在较高电压环境下的稳定性。
  • 连续漏极电流(Id): N沟道最大支持2.5A,P沟道最大支持2A,对于大多数低压应用来说,均能提供高效能输出。
  • 导通电阻(Rds(on)): 最大值为95毫欧,所选择的导通电阻在2.5A和10V工作条件下表现出色,适合快速开关和高效电源转换。
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)): 最大值3V(在250µA下测得),在逻辑电平开关应用中,提供了优良的开关特性。
  • 栅极电荷(Qg): 最高为6.6nC(在10V下),低栅极电荷使得开关速度更快,减少了转换损耗。
  • 输入电容(Ciss): 最大值为282pF(在15V下),高输入阻抗有助于提高电路的稳定性和响应速度。
  • 功率最大值: 700mW,适合于中小功率应用,同时保持良好的热管理。
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C,能够在极端环境下正常工作,增强可靠性。

3. 封装与安装

FDC6333C 使用SuperSOT™-6封装,提供了更小的体积和较低的热阻,使得元件在高密度PCB上也能获得良好的散热效果。这种表面贴装型设计使其适合现代电子设备的自动组装工艺,高效率提高了生产力和降低了成本。

4. 应用领域

FDC6333C 的设计使其在多种应用场景中都表现出色,主要包括但不限于:

  • 消费电子: 使用于智能手机、平板电脑及其他小型设备中的电源管理和功率开关。
  • 工业控制: 在工业自动化设备中,作为负载开关和信号控制电路的重要组成部分。
  • 通讯设备: 用于基站、路由器和其他网络设备中的高效开关,提升信号处理能力。

5. 性能优势

FDC6333C 的性能特点使其在市场上具有显著的竞争优势:

  • 高效率: 低导通电阻保证了最低的能量损耗,提高了系统效率。
  • 宽工作温度范围: 允许在各种严苛环境中工作,增加了设计的灵活性。
  • 优良的开关特性: 低栅极电荷和高输入电阻对于快速切换具有良好的响应,提高了整体电路性能。

6. 总结

FDC6333C 是一款功能强大、高效能的场效应晶体管,适合用于广泛的应用领域。无论是在消费电子、工业控制还是通讯设备中,FDC6333C 都能提供出色的性能表现。其高效能、小体积以及优良的热稳定性使其成为设计者的理想选择。通过使用FDC6333C,设计工程师能够在提高功能与可靠性的同时,简化电路设计,降低成本。