FDC610PZ 产品概述

一、产品简介

FDC610PZ 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款 P 沟道场效应管（MOSFET），采用 SuperSOT-6 超小封装，适用于受限空间内的高侧开关与电源管理场合。器件工作温度范围宽（-55℃ ~ +150℃），能提供良好的开关性能与功率处理能力，适合便携与板上电源分配设计。

二、主要电气参数

• 类型：P 沟道 MOSFET，数量：1 个
• 漏源电压 Vdss：30 V（器件为 P 沟道，使用时注意极性）
• 连续漏极电流 Id：4.9 A
• 导通电阻 RDS(on)：75 mΩ @ VGS = 4.5 V（注意为 P 沟道，VGS 极性为负）
• 栅-源阈值电压 VGS(th)：|VGS(th)| ≈ 3 V @ 250 µA（门限电流 250 µA）
• 总栅极电荷 Qg：24 nC @ 10 V
• 输入电容 Ciss：1.005 nF
• 输出电容 Coss：195 pF
• 反向传输电容 Crss：190 pF
• 功率耗散 Pd：1.6 W
• 工作温度范围：-55 ℃ ~ +150 ℃
• 封装：SuperSOT-6

三、特点与优势

• 小型封装：SuperSOT-6 占板面积小，便于高密度布局，适合空间受限的便携设备。
• 平衡的导通与开关性能：75 mΩ 的导通电阻在中低电流场景下能提供较低的导通损耗；Qg 24 nC 的栅极电荷在常见驱动电路下便于驱动控制。
• 宽温度能力与可靠性：-55~+150℃ 的工作温度范围满足工业级应用需求。
• 适用于高侧开关：作为 P 沟道器件，可用于无需负栅驱动的高侧控制，简化电路驱动方案。

四、典型应用

• 电源路径管理与高侧载流开关（移动设备、便携仪器）
• 电池保护与充放电路径控制
• DC-DC 转换器中的同步或非同步开关（特定拓扑）
• 反接保护与电源选择电路
• 板载功率分配与负载切换

五、设计与布板建议

• 热管理：虽然 Pd 为 1.6 W，但 SuperSOT-6 的散热受限，建议在 PCB 上设置短且宽的散热走线，并根据需要增加铜箔面积或热沉。
• 布线：漏极与源端尽量采用粗短走线以降低阻抗与热集中；增加过孔有助于多层板的散热。
• 栅极驱动：考虑 Qg 与 Ciss，选择合适的栅极驱动能力与阻尼，避免因开关瞬态导致的振铃或过冲；若系统供电电压不足以达到标称 VGS，应验证在实际 VGS 下的 RDS(on) 与开关损耗。
• 保护元件：在易受瞬态冲击的环境中，配合 TVS 或 RC 缓冲以保护栅极与器件免受过压冲击。

六、注意事项

• 栅源电压与极性：作为 P 沟道器件，规范使用时需注意 VGS 极性与阈值方向，避免反向驱动导致器件工作在非线性区。
• 额定与实际：在接近最大额定电流与功率耗散条件下，应评估结温与长期可靠性，必要时采用降额设计。

FDC610PZ 以其小尺寸、适中的导通电阻与良好的温度特性，适合要求体积小、开关性能稳定的中低功率高侧开关与电源管理应用。