型号:

MBT3946DW1T1G

品牌:ON(安森美)
封装:SC-70-6
批次:2年内
包装:编带
重量:0.032g
其他:
-
MBT3946DW1T1G 产品实物图片
MBT3946DW1T1G 一小时发货
描述:三极管(BJT) 150mW 40V 200mA NPN+PNP SC-70-6(SOT-363)
库存数量
库存:
29808
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.179
3000+
0.158
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN+PNP
集电极电流(Ic)200mA
集射极击穿电压(Vceo)40V
功率(Pd)150mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@10mA,1.0V
特征频率(fT)300MHz
集电极截止电流(Icbo)50nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)200mV@10mA,1.0mA
工作温度-55℃~+150℃

MBT3946DW1T1G 产品概述

1. 产品背景

MBT3946是由ON Semiconductor制造的一款高性能双极型晶体管(BJT),设计用于多种电子应用场合。本器件的关键特性如高电流增益、宽工作温度范围以及紧凑的封装结构,使其在现代电子电路设计中具备了极高的适用性和灵活性。

2. 技术规格

基本参数:

  • 制造商:ON Semiconductor
  • 零件状态:有源
  • 封装类型:SC-70-6 / SOT-363
  • 工作温度范围:-55°C至150°C

电气特性:

  • 电流 - 集电极(Ic)最大值:200 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):40 V
  • 饱和压降(最大值)
    • 300 mV @ 5 mA, 50 mA
    • 400 mV @ 5 mA, 50 mA
  • DC电流增益(hFE)最小值:100 @ 10 mA,1V
  • 功率(最大值):150 mW
  • 频率 - 跃迁:300 MHz(NPN),250 MHz(PNP)

3. 产品特点

MBT3946的设计理念旨在满足现代电子应用中的高效能和高可靠性需求。其最大集电极电流可达200 mA,使其适合用于驱动更大负载的应用。同时,40 V的集射极击穿电压提供了良好的电气隔离保护,确保设备在长时间工作下的稳定性。

在高频应用方面,MBT3946的跃迁频率分别为300 MHz(NPN)和250 MHz(PNP),这使得其能够在高频率信号放大等场合中表现出突出的性能,适合用于射频(RF)电路、信号放大及开关应用。

4. 封装及安装

MBT3946采用小型SC-70-6封装,这种表面贴装型设计不仅节省了 PCB 板面积,还能够有效提高散热性能。小尺寸的封装非常适合现代对小型化和高集成度电子产品的需求,使得该元件能够在紧凑型电子设备中得到广泛应用。

5. 应用领域

MBT3946非常适用于以下多个应用场景:

  • 开关电路:该器件能够快速开关,适合用于大多数开关电源供应(SMPS)电路。
  • 信号放大:在RF信号放大器及其他低噪声放大器(LNA)中,MBT3946可以提供高增益和较低的信号失真。
  • 替代方案:在需要双极型晶体管的各种电子产品中,MBT3946可以作为有效的替代选择。
  • 便携式设备:由于其广泛的工作温度范围和紧凑的封装,MBT3946特别适用于便携式设备的设计和制造。

6. 结论

总的来说,MBT3946DW1T1G是一款具有优异性能的双极型晶体管,适合广泛的电子应用,包括开关电路、放大器和便携式设备等。其高电流增益、宽工作温度范围以及小型封装特性,使得工程师在设计和布局电路时更多了一种高效可行的选择。无论是对于电路的性能提升,还是对于空间的高效利用,MBT3946无疑都是一个值得考虑的重要元器件。