型号:

ESD5Z5.0T5G

品牌:ON(安森美)
封装:SOD-523
批次:23+
包装:编带
重量:-
其他:
-
ESD5Z5.0T5G 产品实物图片
ESD5Z5.0T5G 一小时发货
描述:ESD Suppressor Diode TVS Uni-Dir 5V 18.6Vc 2-Pin SOD-523 T/R
库存数量
库存:
2
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:8000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.225
8000+
0.205
产品参数
属性参数值
反向截止电压(Vrwm)5V
钳位电压18.6V
峰值脉冲电流(Ipp)9.4A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)174W
击穿电压6.2V
反向电流(Ir)50nA
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容80pF

ESD5Z5.0T5G 产品概述

一、产品简介

ESD5Z5.0T5G 是 ON Semiconductor 推出的单向瞬态抑制二极管(TVS),用于对 5V 电源与信号线的静电放电(ESD)和脉冲浪涌提供快速保护。器件为 2 引脚 SOD-523 小封装,适合空间受限的现代消费电子与工业接口电路。

二、电气性能要点

  • 反向截止电压(Vrwm):5V,适配 5V 系统的工作电压窗口。
  • 击穿电压(Vbr):6.2V(典型),在此电压附近进入钳位导通。
  • 钳位电压(Vc):18.6V,在规定脉冲条件下将瞬态电压限制到可接受范围内。
  • 峰值脉冲功率(Ppp):174W,配合 8/20μs 测试波形表征抗浪涌能量能力。
  • 峰值脉冲电流(Ipp):9.4A @ 8/20μs,表明在该波形下器件可吸收的最大瞬态电流。
  • 结电容(Cj):80pF,需在高速信号路径选型时注意对带宽的影响。
  • 反向电流(Ir):50nA,工作时漏电小,有利于低功耗设计。

三、防护性能与标准

该器件满足 IEC 61000-4-2(静电放电)与 IEC 61000-4-4(脉冲群/快速瞬变)等抗扰度要求,能对常见的接触/空气放电和工业快速瞬变提供保护。实际钳位水平与能量吸收能力以 Ipp 与 Ppp 标称值为准,应在目标应用的脉冲能量等级下验证电压波形。

四、封装与可靠性

SOD-523 超小封装(2 引脚,带盘式 T/R 卷带供料),适合自动贴装生产。小封装有利于减小封装占位,但在吸收大功率脉冲时应关注 PCB 散热与焊盘热阻。

五、典型应用场景

  • USB、串口、I2C、GPIO 等 5V 接口的端口保护
  • 消费类/便携设备的外部连接器防护
  • 工业控制器与测量设备对静电与快速瞬变的防护层

六、选型与布局建议

  • 将 TVS 器件尽量靠近受保护端口或连接器布置,走线短、回路小以降低寄生感抗。
  • 对高速差分或射频信号,应评估 80pF 的结电容对带宽和信号完整性的影响,必要时选择低容型 TVS 或在非关键线路使用。
  • 对持续浪涌或高能环境,考虑并联多个器件或在系统级进行器件级与熔断器/串联电阻配合使用以分摊能量。
  • 关注焊盘与地的散热路径,确保在高能事件下可靠放电。

总结:ESD5Z5.0T5G 在小体积封装下为 5V 系统提供快速、低泄漏的瞬态抑制,适用于多数消费与工业端口保护场合。选型时重点考虑结电容对信号的影响与 PCB 布局的散热/回流设计。