ES3F-E3/57T 产品概述

一、简介

ES3F-E3/57T 是 VISHAY（威世）系列的快恢复/高效率整流二极管，采用 DO-214AB（SMC）贴片封装，面向中高压开关电源、整流与防逆保护等应用。器件在工作结温范围 -55℃ 至 +150℃（Tj）内可靠工作，兼顾低正向压降与较短反向恢复时间，适合需在较高电压与中等开关频率下实现高效率整流的场合。

二、主要电气参数

• 正向压降 Vf = 1.1 V @ If = 3 A
• 连续整流电流 If(AV) = 3 A
• 直流反向耐压 Vr = 300 V
• 反向电流 Ir = 10 μA @ Vr = 300 V
• 非重复峰值浪涌电流 Ifsm = 100 A（单次冲击承受能力）
• 反向恢复时间 Trr = 50 ns

这些参数表明该器件在 300 V 级别具有较低的静态损耗和较快的开关性能，适合中等频率开关应用以提高系统效率。

三、封装与热性能

ES3F-E3/57T 采用 DO-214AB（SMC）表面贴装封装，利于自动化组装并提供良好的散热路径。需注意：

• 在 3 A 连续导通条件下，1.1 V 的正向压降对应约 3.3 W 的结端功耗，PCB 热设计（加大散热铜箔、使用散热垫或散热片）对长期可靠性至关重要。
• 在高峰值或重复脉冲情况下，应核算结温上升并适当留有安全裕量。

四、应用场景

• 开关电源（SMPS）次级或输入整流
• 逆变器和电源模块的二极管回路
• 电池充电器、适配器整流与防逆保护
• 电机驱动与功率转换中的自由轮二极管
• 工业电源与消费电子的高压整流场合

五、选型与设计注意事项

• 若系统开关频率较高或对开关损耗敏感，可优先考虑低 Trr 和低 Vf 的器件；ES3F-E3/57T 的 Trr≈50 ns 适合中等频率（数十 kHz 至数百 kHz）应用，但在极高频率场合需评估开关损耗与电磁干扰。
• 反向漏电 Ir 在 300 V 时为 10 μA，适合高压侧使用，但在高温或较高 Vr 下漏电会增加，应在热设计中考虑。
• 非重复峰值浪涌 Ifsm = 100 A 能承受瞬态冲击，但不宜作为长期过载工作方式；需根据系统浪涌波形与持续时间核算是否满足要求。
• 注意结温范围与 PCB 热阻配合，必要时采用散热器或增加铜厚。

六、应用建议与典型电路用法

• 在整流桥或单向整流中，器件可以并联或与电感/电容配合以平衡电流与改善浪涌能力（并联时注意电流均分）。
• 用作开关器件的飞返二极管时，得益于较短的 Trr，可减少反向恢复造成的尖峰损耗；仍建议在关键节点配合 RC 吸收或缓冲网络以抑制尖峰电压。
• PCB 布局应尽量缩短高电流回流路径，增大焊盘与散热区，保证良好散热与低阻路径。

七、可靠性与储存

• 器件在 -55℃ 至 +150℃ 的结温范围内工作，实际应用中应保持结温远低于极限值以延长寿命。
• 储存与回流焊接遵循厂商对封装的焊接温度曲线和防潮等级建议，避免反复高温应力影响可靠性。

总结：ES3F-E3/57T 在 300 V 等级下提供低正向压降、适中反向恢复时间与良好的浪涌承受能力，适用于需要兼顾效率与开关性能的中高压整流与保护场景。选择时需综合考虑结温、PCB 散热与系统开关特性以确保长期可靠运行。