DTB114ECHZGT116 产品概述

一、概述

DTB114ECHZGT116 为 ROHM（罗姆）出品的数字晶体管（预偏置型，含保护二极管），封装为 TO-236-3 (SOT-23-3)。该器件为单颗 PNP 晶体管模块化封装，内置基极限流电阻与保护二极管，方便直接与微控制器或逻辑电路接口，实现开关和驱动功能，适合体积受限且需降低外部元件数量的设计。

二、主要电气参数

• 直流电流增益 hFE：56 （在 Ic=50mA、VCE=5V 条件下）
• 集电极电流 Ic（最大）：500mA
• 集射极击穿电压 Vceo（最大）：50V
• 输出导通电压 VO(on)（典型）：300mV
• 最小输入触发电压 VI(on)：3V
• 内置输入电阻（基极）：约 10kΩ；电阻比率：1（详见原厂数据手册）
• 功耗 Pd（最大）：200mW
• 工作温度范围：-55℃ ~ +150℃

以上参数为典型/最大值，具体使用请以 ROHM 官方数据手册为准，并按实际工况留有裕量。

三、功能特点与优势

• 预偏置设计：内部集成基极限流电阻，外部无需再并联大电阻即可直接与 MCU 或逻辑门相连，简化电路、节省 PCB 空间。
• 含保护二极管：对逆向电压和开关瞬态提供一定保护，提高系统可靠性（具体二极管拓扑请参考原厂资料）。
• 高电流能力：最高 500mA 集电极电流，可驱动小型继电器、灯珠或中等负载。
• 宽电压耐受：Vceo 达 50V，适用于中等电压电源系统。
• 紧凑封装：SOT-23-3 封装，适合便携设备与密集布线应用。

四、典型应用场景

• MCU 直接驱动指示灯、继电器线圈（小功率）、蜂鸣器等负载。
• 信号电平转换与反相开关（PNP 型适用于高侧开关场合）。
• 电池供电或小型电源系统的开关与保护电路。
• 工业与消费电子中需要减少外部元器件数量的场合。

五、使用注意事项与热设计

• 功耗限制：Pd 单颗器件最大 200mW，实际工作中需计算 VCE × Ic 的功耗并考虑 PCB 散热，持续大电流工作时应采用铜箔放大散热或并联器件分摊热量。
• 驱动逻辑：作为 PNP 器件，通常将发射极接正电源，负载置于集电极到地端，输入端电平控制需符合厂方给定的 VI(on) 要求（文档列出最小 3V）。
• 极性与引脚确认：SOT-23-3 的具体引脚排列（基极/集电极/发射极）请以 ROHM 数据手册封装图为准，避免接错导致损坏。
• 工作温度：器件额定 -55℃ ~ +150℃，高温环境仍需关注额定功耗随温度的降额曲线。

六、选型建议与总结

若设计要求体积小、外部元件少且需在高侧位置实现简单开关或驱动，DTB114ECHZGT116 是合适的选择。其 56 的直流增益、500mA 驱动能力与内置保护电路能够降低 BOM 成本并提升可靠性。最终选型仍建议参考 ROHM 官方完整数据手册，评估在目标电压、电流及温度条件下的安全裕度与热管理方案。