型号:

DTA143EU3T106

品牌:ROHM(罗姆)
封装:SOT-323
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
DTA143EU3T106 产品实物图片
DTA143EU3T106 一小时发货
描述:数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个PNP-预偏置
库存数量
库存:
2939
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.230336
3000+
0.1829
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
耗散功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE)30@10mA,5V
最小输入电压(VI(on))3V@20mA,0.3V
最大输入电压(VI(off))500mV@100uA,5V
输出电压(VO(on))300mV@10mA,0.5mA
输入电阻4.7kΩ
电阻比率1
工作温度-55℃~+150℃

DTA143EU3T106 产品概述

一、产品简介

DTA143EU3T106 是 ROHM(罗姆)生产的一款预偏置数字晶体管(PNP),采用小型 SOT-323 封装,适用于空间受限的表贴电路。器件集成了输入限流电阻(标称 4.7 kΩ),便于直接与微控制器或逻辑电平相连,简化外围电阻设计。器件额定参数保证中低功率、高电压和宽温度范围下可靠工作,适合一般开关和驱动应用。

二、主要电气特性

  • 极性:PNP(预偏置,内部带基极电阻)
  • 集电极-发射极击穿电压 Vceo:50 V,适合较高电压工作场合
  • 最大集电极电流 Ic:100 mA(短时或受散热限制)
  • 直流电流增益 hFE:30(测量条件 10 mA,VCE≈5 V)
  • 导通输出电压 VO(on):约 300 mV(Ic = 10 mA 时典型值)
  • 输入电阻(内置基极电阻):4.7 kΩ
  • 最大耗散功率 Pd:200 mW(注意封装与环境温度影响)
  • 工作温度范围:-55 ℃ 至 +150 ℃

三、功能与优点

  • 预偏置设计:内部集成基极电阻,缩短设计周期、减少外部元件数量,降低 PCB 布局复杂度。
  • 小体积封装:SOT-323 占板面积小,适用于便携设备与高密度电路板。
  • 良好的开关特性:在 10 mA 等常见负载下低饱和压降(约 300 mV),提高效率并减小功耗。
  • 宽温度与高电压能力:50 V 的 Vceo 和宽工作温度范围适用于汽车电子、工业与消费类电子中的多种环境。

四、典型应用场景

  • 低功率高侧/低侧开关(小电流负载驱动)
  • LED 驱动与指示灯控制
  • 逻辑接口与电平移位(直接由 MCU/逻辑门驱动)
  • 传感器信号开/关、外围电路使能控制
  • 电池供电与便携设备中的省件型开关解决方案

五、使用注意事项与设计建议

  • 散热与功耗:Pd 为 200 mW,SOT-323 封装散热能力有限,高集电极电流下需注意封板散热或降低占空比,避免长期在额定最大功耗工作。
  • 驱动电平:器件设计用于与标准逻辑兼容,但在不同电压和负载条件下,导通所需输入电平和基极电流会变化。建议在具体电路中以目标负载电流下验证 VO(on)、hFE 与开关速度。
  • 保护与可靠性:若负载存在感性成分(如小继电器线圈),请添加反向保护二极管或 RC 抑制网络,防止高压尖峰损伤晶体管。
  • 替代与扩展:如需更高电流或更大功耗,请选择更大封装或专用功率晶体管;若需 NPN 极性,可选相应型号以匹配电路需求。

六、总结

DTA143EU3T106 为一款集成基极电阻的 PNP 数字晶体管,具有 50 V 耐压、100 mA 电流能力与 200 mW 功耗等级,适合中低功率、空间受限场合的开关与驱动应用。其预偏置特性大幅简化设计,是实现小型化、快速开发的实用选择。在实际应用中应结合散热与开关条件进行验证,以确保长期可靠性。