型号:

MC33074ADR2G

品牌:ON(安森美)
封装:SOIC-14
批次:25+
包装:编带
重量:0.25g
其他:
-
MC33074ADR2G 产品实物图片
MC33074ADR2G 一小时发货
描述:FET输入运放 13V/us 500uV 100nA 4.5MHz
库存数量
库存:
25965
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.16
2500+
1.1
产品参数
属性参数值
放大器数四路
增益带宽积(GBP)4.5MHz
输入偏置电流(Ib)100nA
输入失调电压(Vos)500uV
共模抑制比(CMRR)97dB
压摆率(SR)13V/us
静态电流(Iq)1.9mA
输入失调电压温漂(Vos TC)10uV/℃
输出电流30mA
工作温度-40℃~+85℃
单电源3V~44V
最大电源宽度(Vdd-Vss)44V
噪声密度(eN)32nV/√Hz@1kHz
输入失调电流(Ios)50nA

MC33074ADR2G 产品概述

一、产品概述

MC33074ADR2G 是安森美(ON Semiconductor)提供的一款四路 FET 输入运算放大器,专为低噪声、高共模抑制和宽供电电压设计。器件在小型 SOIC-14 封装内集成四个独立放大器,适用于多通道、空间受限的模拟前端方案,兼顾低失调和较高带宽/压摆率性能。

二、主要特性

  • 共模抑制比(CMRR):97 dB,保证差分信号下的干扰抑制能力。
  • 输入噪声密度(eN):32 nV/√Hz @1 kHz,适合对噪声敏感的信号链。
  • 输入失调电压(Vos):500 μV,低失调降低校准负担。
  • 输入偏置电流(Ib):100 nA,输入为 FET 型,适合高阻抗传感器接口。
  • 增益带宽积(GBP):4.5 MHz,适用于中等带宽的放大与滤波。
  • 压摆率(SR):13 V/μs,支持快速信号边沿处理。
  • 单电源工作范围:3 V 至 44 V(最大电源差 44 V),灵活匹配单/双电源系统。
  • 静态电流(Iq):1.9 mA(每通道),输出电流高达 30 mA。
  • 输入失调电压温漂(Vos TC):10 μV/℃;输入失调电流(Ios):50 nA。
  • 工作温度范围:-40 ℃ 至 +85 ℃。

三、电气性能摘要

该器件兼具低噪声与较高抑制比,适合精密测量与信号恢复。FET 输入结构带来的低偏置电流配合低失调电压温漂,有利于长时间稳定测量。4.5 MHz 的 GBP 与 13 V/μs 的压摆率可满足滤波器、缓冲和驱动中等频率信号的需求。

四、典型应用

  • 工业与仪器仪表的模拟前端(传感器放大、差分测量)。
  • 音频前置放大与低噪声拾音电路。
  • 信号调理与主动滤波(低通/高通/带通)。
  • 数据采集输入缓冲、ADC 驱动。
  • 低压/高压混合供电系统中多通道放大需求。

五、封装与可靠性

MC33074ADR2G 提供 SOIC-14 封装,便于表面贴装与自动化生产。工作温度覆盖工业级范围(-40 ℃ 至 +85 ℃),满足多种工业与消费类应用的环境要求。

六、设计与布局建议

  • 电源去耦:靠近器件引脚放置 0.1 μF 陶瓷电容与适当的电解电容以保证低频稳定。
  • 输入滤波:对高阻抗传感器输入建议添加高阻抗旁路或 RC 低通以抑制射频干扰。
  • 布线:差分信号走线成对并缩短回路面积,模拟地与数字地分离并在单点连接。
  • 热管理:虽然静态功耗低,但在高密度布板或高温工况下注意散热布局。

七、采购与替代

品牌:ON(安森美),型号:MC33074ADR2G,封装:SOIC-14。设计时可同时评估功能相近的其它四路 FET 输入放大器以备选,但在替换时需注意输入结构、带宽、失调与供电范围的匹配,避免性能退化。

如需针对具体电路(如差分放大、滤波或 ADC 驱动)给出参考原理图或元件选型建议,可提供电路要求与工作条件,我将给出更详细的设计方案。