MLG1005S1N2BT000 产品概述

一、概述

MLG1005S1N2BT000 为 TDK 推出的 0402 叠层高频片式电感，标称电感值 1.2 nH（0.0012 μH），专为 GHz 级高频应用设计。器件为无屏蔽结构、多层陶瓷工艺，体积小、寄生参数低、适合高密度表面贴装电路板。

二、主要电气参数（典型值）

• 电感值：1.2 nH
• 直流电阻（DCR）：约 40 mΩ
• 品质因数（Q）：7 @ 100 MHz
• 自谐振频率（SRF）：约 10 GHz
• 额定电流：1 A
• 封装：0402（公制 1005）
  这些参数表明该器件在百兆到多 GHz 频段仍能保持较低损耗和较高自谐振点，适合射频/高频线路中用作阻抗控制或射频偏置元件。

三、特性与优势

• 高频性能好：SRF ≈ 10 GHz，适用于微波频段的阻抗项与去耦设计。
• 体积极小：0402 封装有利于高密度 PCB 布局。
• 低 DCR 与合理 Q 值：DCR ≈ 40 mΩ，额定 1 A 时功耗 P = I²R ≈ 40 mW，热耗影响小。
• 多层陶瓷工艺：良好的重复性与批次一致性，适合量产应用。

四、典型应用

• 无线通信射频前端：匹配网络、谐振与阻抗调整。
• 高频滤波与带通/带阻网络的构成元件。
• 射频偏置与馈通（RFC）元件，用于将直流与射频隔离。
• EMI/EMC 抑制中作为高频阻抗元件使用（需注意无屏蔽耦合）。

五、封装与布板建议

• 建议采用标准 0402 焊盘与回流工艺贴装，遵循 TDK 推荐的焊盘尺寸与回流曲线以保证焊接可靠性。
• 布局时尽量缩短与被滤波/匹配节点的连接长度，减少额外寄生电感与电阻。
• 由于为无屏蔽结构，避免与敏感接收天线或互调敏感电路并行过近，以防磁耦合影响系统性能。
• 高电流路径应提供足够的铜厚与散热通道，尽管单颗器件发热小，但并联或密集布局时需注意整体热管理。

六、选型与注意事项

• 若电路对耦合敏感或要求更高的磁隔离，可考虑屏蔽型芯片电感作为替代。
• 对于更高 Q 值或更低 DCR 的需求，可比较同系列不同标称电感或其他封装规格的器件。
• 在设计射频匹配网络时，应结合器件的频率响应曲线（S 参数或阻抗-频率特性）进行仿真与调试，避免仅以直流电感值作为唯一依据。

如需器件的详细频率响应曲线、封装尺寸图、回流焊工艺参数或样片测试报告，可进一步提供以便查询或获取原厂资料。