型号:

SZESD9X3.3ST5G

品牌:ON(安森美)
封装:SOD-923
批次:23+
包装:编带
重量:0.000013
其他:
-
SZESD9X3.3ST5G 产品实物图片
SZESD9X3.3ST5G 一小时发货
描述:ESD保护二极管/TVS二极管 SOD-923 2 EUT SNG CU PBF
库存数量
库存:
1
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:8000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.953
8000+
0.91
产品参数
属性参数值
反向截止电压(Vrwm)3.3V
钳位电压10.4V
峰值脉冲电流(Ipp)9.8A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)102W@8/20us
击穿电压5V
反向电流(Ir)2.5uA
通道数单路
防护等级IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容80pF

ON安森美SZESD9X3.3ST5G ESD/TVS保护二极管产品概述

一、产品定位与核心价值

SZESD9X3.3ST5G是安森美推出的单路ESD/TVS复合保护二极管,核心定位为3.3V供电的敏感电子电路提供可靠的静电放电(ESD)和瞬态浪涌防护。它能在不干扰电路正常信号传输的前提下,快速抑制突发高压脉冲,避免后端芯片(如MCU、传感器、通信接口芯片)被击穿损坏,是消费电子、便携设备、物联网节点等场景的高性价比防护器件。

二、关键电气参数深度解析

这款器件的参数针对3.3V系统做了精准优化,核心参数的实际意义清晰:

  1. 反向截止电压(Vrwm=3.3V):正常工作时反向偏置的最大允许电压,完美匹配主流3.3V电源系统——既不会因电压过高导通漏电,也不会因匹配差影响防护触发时机。
  2. 钳位电压(Vc=10.4V):ESD/浪涌脉冲到来时,器件快速击穿并将电压钳在10.4V左右,远低于大多数敏感芯片的最大耐压(15V以上),有效保护后端电路。
  3. 峰值脉冲电流(Ipp=9.8A@8/20μs):8/20μs是国际浪涌波形标准(IEC 61000-4-5关联),9.8A峰值电流意味着能承受近10A瞬间浪涌,防护能力优于普通ESD二极管。
  4. 结电容(Cj=80pF):单路结电容80pF,对低速信号(I2C、UART、按键信号)无传输干扰,适合这些接口防护;若用于高速信号(USB 2.0以上)需注意,但低速场景优势明显。
  5. 反向漏电流(Ir=2.5μA):正常工作时反向漏电仅2.5μA,可忽略不计,不增加系统功耗,尤其适合低功耗便携设备(智能手表、蓝牙耳机)。

三、封装与可靠性设计

器件采用SOD-923超小型表面贴装封装,尺寸紧凑(约1.6mm×0.8mm),适配高密度PCB设计;标注“PBF”代表无铅环保,符合欧盟RoHS指令。

可靠性方面,通过IEC 61000-4-2静电放电标准测试,能承受接触放电±8kV、空气放电±15kV的典型ESD脉冲,满足消费电子和工业场景的静电防护需求。

四、典型应用场景

结合参数和封装特点,主要应用场景包括:

  • 消费电子:智能手机、平板的充电接口、耳机孔、按键电路ESD防护;
  • 便携设备:智能手表、蓝牙耳机、运动相机的电源线路和低速信号接口(I2C)防护;
  • 物联网节点:低功耗传感器(温湿度、 motion传感器)、智能门锁的电路防护;
  • 小型工业设备:PLC输入输出接口、小型监控摄像头的信号防护。

五、选型优势总结

相比同类3.3V防护器件,核心优势在于:

  1. 电压匹配精准:Vrwm直接匹配3.3V系统,无需额外降额设计;
  2. 防护能力均衡:兼顾ESD(IEC 61000-4-2)和小功率浪涌(8/20μs脉冲)防护;
  3. 低功耗低干扰:漏电流极小,结电容适配低速信号,不影响系统性能;
  4. 小封装高集成:SOD-923封装适合小型化设备,单路设计灵活(可并联实现多路防护);
  5. 品牌可靠性:安森美老牌厂商,器件一致性和可靠性有保障。

六、使用注意事项

  1. 仅适用于3.3V系统,5V及以上电压需降额或更换更高Vrwm型号;
  2. 结电容80pF不适合高速信号(USB 3.0、HDMI),高速场景需选低电容(<10pF)ESD二极管;
  3. 焊接需遵循SOD-923封装温度规范,避免高温损坏器件。