STU2N105K5 产品概述
产品简介
STU2N105K5 是由意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 通道金属氧化物场效应管（MOSFET），专为高压、高效能应用设计。其关键电气特性使其成为电源管理、电机控制及其他功率电子应用中的理想选择。该元器件的主参数包括漏源电压（Vdss）为 1050V，连续漏极电流（Id）为 1.5A，以及功率耗散能力高达 60W，使其能够在苛刻的工作环境中稳定运行。
技术规格
STU2N105K5 采用 TO-251（IPAK）封装，具备较好的散热能力和电气隔离性能。该器件在 25℃ 条件下，能够安全地传导 1.5A 的电流，适合大多数工业和消费类产品的应用需求。其最大漏源电压高达 1050V，使得该MOSFET能够在高压条件下工作，从而扩大了其应用范围。
导通特性
对于导通特性，STU2N105K5 在 10V 的栅极驱动电压下，具有高达 8 欧姆的最大导通电阻（Rds(on)），以及在 750mA 的电流下保持这一特性，这为设计提供了必要的电流处理能力。此外，该元器件在 Vgs(th) 条件下的最大阈值电压为 5V，这保证了在低电压环境下也可实现切换动作，提高了系统的整体效率。
电气特性
该 MOSFET 具有最大栅极电压 (Vgs) 为 ±30V，提供了较强的抗干扰能力。其最大栅极电荷（Qg）为 10nC，透过较小的电荷量实现高效驱动，降低了驱动电路的工作负担。同时，在 100V 的条件下，输入电容 (Ciss) 最大值为 115pF，这对于电路设计中的高频特性极为重要，确保其在高速开关应用中表现良好。
工作温度与散热
STU2N105K5 的工作温度范围极为宽广，从 -55°C 到 150°C，即便在极端环境条件下，器件也能保持良好的工作性能。这种特性使得 STU2N105K5 适用于高温或低温极端条件下的应用如汽车电子、航空航天、工业控制系统等。
另外，该 MOSFET 的最大功率耗散为 60W，在合理的散热设计下，可以实现高效的能量转换和热管理，进一步提高系统的可靠性。
应用场景
STU2N105K5 适合广泛的应用场景，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）
- DC-DC 转换器
- 电机驱动与控制
- 报警器和蜂鸣器驱动
- 大功率负载切换
总结
STU2N105K5 是一款功能强大、性能优越的高压 N 通道 MOSFET，凭借其卓越的漏源电压、流过能力及广泛的工作温度范围，成为了不同领域内应用的绝佳选择。意法半导体以其优质的设计和严格的生产标准，为客户提供可靠的电子元器件解决方案，确保当今和未来的电子设备运行更加高效、持久与安全。