型号:

STTH1L06UFY

品牌:ST(意法半导体)
封装:DO-221AA
批次:23+
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STTH1L06UFY 产品实物图片
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STTH1L06UFY 一小时发货
描述:Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 45ns; SMB flat; Ufmax: 1.4V; Ir:
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产品参数
属性参数值
正向压降(Vf)1.4V@1A
直流反向耐压(Vr)600V
整流电流1A
反向电流(Ir)1uA@600V
反向恢复时间(Trr)60ns
工作结温范围-40℃~+175℃
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)20A

STTH1L06UFY 产品概述

一、概述

STTH1L06UFY 是意法半导体(ST)推出的一款高电压、快速恢复整流二极管,额定直流整流电流 1A,重复峰值反向电压 600V。该器件结合了较低的正向压降与快速的反向恢复能力,适用于中高压开关电源、功率因数校正(PFC)、反激/正激变换器以及各种需要快速整流或回授保护的场合。器件允许的工作结温范围宽(-40℃ 至 +175℃),适合高温环境下的可靠工作。

二、主要电气参数

  • 品牌:ST(意法半导体)
  • 型号:STTH1L06UFY
  • 直流整流电流(Io):1A
  • 重复峰值反向电压(Vr,Vrrm):600V
  • 正向压降(Vf):最大 1.4V @ 1A
  • 非重复峰值浪涌电流(Ifsm):20A
  • 反向电流(Ir):1 µA @ 600V(额定测试条件)
  • 反向恢复时间(Trr):约 60ns(典型值在特定测试条件下可低至 ~45ns)
  • 工作结温范围(Tj):-40℃ ~ +175℃
  • 封装:DO-221AA(单器件散热及固定方式,详见厂方封装图)

三、主要特点

  • 高电压耐受能力(600V),适合中高压整流/开关场景。
  • 快速恢复性能,Trr 约 60ns,减小开关损耗和开关过冲,适用于中频开关电路。
  • 低正向压降(1.4V @1A),在额定电流下具备较低导通损耗。
  • 低反向漏电(1 µA @600V),在高压条件下保持较小静态损耗(注意随温度上升而增大)。
  • 宽温度工作范围,提高在高温或苛刻环境下的可靠性。
  • DO-221AA 封装便于散热处理和机械固定,可配合散热片使用。

四、典型应用

  • 开关电源(SMPS)中的输出整流或回馈整流。
  • 功率因数校正(PFC)电路中高压整流。
  • 反激/正激变换器的二次侧整流。
  • 逆变器、驱动电路中的快速整流与续流保护。
  • 高压直流供电、HV整流模块与工业电源。
  • 作为续流二极管或保护二极管用于电感性负载的回路。

五、封装与热管理

STTH1L06UFY 使用 DO-221AA 封装,便于安装并且有利于热传导。由于在高平均电流或高开关频率下会产生显著的功耗,应重视散热设计:

  • 估算功耗:P ≈ Iavg × Vf(例如 1A × 1.4V ≈ 1.4W)。实际损耗应包含开关损耗相关的恢复损耗。
  • 需要时采用散热片或将器件安装在具有良好热导的金属基板上,保证结温在额定范围内。
  • 电路板布线应尽量增大焊盘面积和铜厚以提高散热能力。

具体封装尺寸、结-壳热阻(Rthj-case)、结-焊点热阻等详细参数,请参考 ST 官方数据手册以便做精确热设计。

六、选型与使用建议

  • 确认反向电压裕量:在设计中应留有足够的 Vr 安全裕量(通常按最大工作电压乘以一定系数),以避免瞬态过压击穿。
  • 开关频率与恢复时间匹配:Trr ≈ 60ns 属于快速恢复范畴,适用于中等开关频率,否则在更高频率下需关注恢复能量和电磁干扰。
  • 漏电与温度关系:Ir 随结温上升显著增加,若电路对静态漏电敏感(如高阻输入),需评估温升影响。
  • 冲击电流与峰值容限:Ifsm 为 20A(非重复峰值),用于评估浪涌或启动瞬态的承受能力,不宜长期以此为工作电流。
  • 并联使用注意一致性:若为降低压降或提高电流能力并联多个器件,需要考虑正向压降不一致导致的分流不均衡问题。

七、可靠性与焊接注意

  • 在高湿或高温环境下长期使用时,定期检查器件工作结温;如长期高温工作会影响漏电和寿命。
  • 焊接时遵循制造商给出的温度曲线,避免过高的焊接温度或长时间加热导致器件应力。
  • 存储与搬运应防止机械应力或静电损伤(如适用防静电措施)。

结论:STTH1L06UFY 是一款适合中高压、要求快速恢复和较低正向压降的 1A 整流二极管,适用于各类开关电源和高压整流应用。若需进行最终设计验证,请参考 ST 官方数据手册获取完整电气、热、机械规格与典型特性曲线,并在目标工况下做热仿真与可靠性验证。