STPS2H100ZF 产品概述

一、产品简介

STPS2H100ZF 为意法半导体（ST）推出的一款肖特基整流二极管，采用紧凑型 SOD-123F 封装，面向需要低反向漏电、高耐压与中等整流电流的应用场景。器件适合在宽温度范围下工作，可靠性高，适用于工业与消费类电源设计。

二、主要电气参数

• 直流整流电流（Io）：2 A（平均整流电流）
• 正向压降（Vf）：960 mV @ 4 A
• 直流反向耐压（Vr）：100 V
• 反向电流（Ir）：1 μA @ 100 V
• 非重复峰值浪涌电流（Ifsm）：50 A（一次性峰值）
• 工作结温范围：-40 ℃ ～ +175 ℃

三、主要特性与优势

• 高耐压（100 V）：适合 48 V 及以下系统的整流与保护应用。
• 低反向漏电（1 μA @ 100 V）：在待机与高阻态下可降低静态功耗，利于能耗敏感设计。
• 肖特基特性带来较快的开关响应，有助于降低开关转换损耗。
• 宽温工作（-40～+175 ℃）：可满足工业级与高温环境的可靠性要求。
• SOD-123F 小封装便于小型化设计与高密度布局。

四、典型应用

• 开关电源整流与续流二极管（中低功率）
• 汽车电子辅助电源（需注意封装与浪涌能力）
• 48 V 转换器、逆变器保护电路
• 电池管理与能量回馈路径中需要低漏电的场合

五、热管理与封装注意事项

SOD-123F 为小型表面贴装封装，热阻相对较大，2 A 连续电流下需进行热设计：合理的铜箔散热、加宽焊盘、并结合靠近散热区域的铺铜或过孔以降低结温；在频繁浪涌或高环境温度下应进行电流降额。焊接工艺按厂家推荐曲线进行，避免过热导致封装应力。

六、选型建议与替代考量

如设计中正向压降对效率敏感，可选择 Vf 更低的高性能肖特基件；若存在更高的冲击电流或反复浪涌场景，应选用 Ifsm 能力更强或更大封装的型号；若工作电压低于 100 V，可考虑更低 Vr 且漏电更小的器件以优化性能。总体而言，STPS2H100ZF 在小封装、耐压与低漏电之间提供了良好平衡，适合对封装尺寸与静态损耗有要求的中低功率整流应用。