STPS20H100CGY-TR 产品概述

一、概述

STPS20H100CGY-TR 是意法半导体（ST）推出的一款双肖特基二极管阵列（1 对共阴极），面向高效率整流与开关电源应用。器件采用 D²PAK（TO-263）表面贴装封装，集成两个肖特基结并以共阴极形式引出，兼顾低正向压降与高浪涌能力，适合在宽温区间工作。

二、主要电气参数

• 结温工作范围：-40℃ ~ +175℃（Tj）
• 额定整流电流：20 A（每对/器件额定整流能力）
• 正向压降（Vf）：770 mV @ 10 A（典型测量点，低压降有利于降低导通损耗）
• 非重复峰值浪涌电流（Ifsm）：250 A（一次性浪涌承受能力，适用于输入浪涌或启动脉冲）
• 直流反向耐压（Vr）：100 V
• 反向电流（Ir）：4.5 μA @ 100 V（低泄漏，有利于减小待机与高压条件下的损耗）

三、封装与热管理

器件采用 D2PAK（TO‑263）大铜片 SMD 封装，底部与散热片/PCB 的热连接良好。典型建议：

• 在 PCB 上配备大面积铜箔与通孔热盲 vias，以提升散热能力并保证在高电流下的可靠工作。
• 对于持续 20 A 级别工作，应做电流与温度的热仿真并按需增加散热面积或金属散热板。
• 器件允许较高结温（最高 175℃），但长期可靠性与寿命仍建议在日常设计中做电流降额与温度控制。

四、典型应用

• 开关电源（SMPS）次级整流
• 功率因数校正（PFC）之整流/钳位
• DC-DC 转换器输出整流
• 充电器与适配器、高频整流场合
• 汽车电子与工业电源（需验证整个系统的热及瞬态要求）

五、设计与使用注意事项

• 选择此类肖特基器件时，注意以 Vf 与 Ir 为关键指标评估导通损耗与待机漏电；在高温或高压边界工况下应评估反向泄漏对系统性能的影响。
• 虽为肖特基，反向恢复电流小，但在高速开关拓扑中仍需关注电压尖峰与寄生电感导致的应力，必要时加入 RC 吸收或缓冲网络。
• 浪涌 Ifsm 为非重复峰值，不能作为重复重复冲击设计依据；频繁大浪涌会降低器件寿命。
• 焊接与热循环应按 ST 推荐的封装焊接工艺与回流曲线执行，确保焊点可靠性与散热接触良好。

六、选型与替代建议

在需同等级别电流与耐压条件下，可按 100 V、20 A、低 Vf 的肖特基二极管进行替代选型，注意封装（D2PAK）与引脚排列兼容性，并比对 Vf@If、Ir@Vr、Ifsm 与结温规格以保证替换后系统性能无大幅退化。

总结：STPS20H100CGY-TR 以低正向压降、低反向泄漏、高浪涌承受能力与 D2PAK 良好散热特性，适合高效整流与电源类场合。设计时重点关注 PCB 散热布局、温度降额与瞬态保护，即可发挥其性能优势。