STPS15L45CB 产品概述

一、产品简介

STPS15L45CB 是意法半导体（ST）出品的一款肖特基（Schottky）二极管，采用 DPAK 表面贴装封装，内部为一对共阴极（common‑cathode）肖特基二极管。该器件针对高效率、低正向压降的低压大电流整流与自由轮回场景设计，典型正向压降为 520 mV（在 7.5 A 条件下），直流额定整流电流 7.5 A，直流反向耐压 45 V，非重复峰值浪涌电流 Ifsm 可达 75 A，适合开关电源、DC–DC 变换器及汽车电子等领域的电能转换与整流应用。

二、主要特性

• 低正向压降：Vf ≈ 0.52 V @ 7.5 A，降低导通损耗，提高效率。
• 共阴极配置：两个二极管共用阴极引脚，方便组成半桥、桥式整流或并联应用。
• 较高的脉冲冲击能力：Ifsm = 75 A，可应对短时浪涌电流。
• 中等反向耐压：VR = 45 V，适用于 12 V/24 V 车载与中等电压的电源系统。
• 反向漏电流：Ir = 500 μA @ 45 V（典型条件），常温下漏电较低，但肖特基器件随温度上升漏电增大，应考虑温度影响。
• DPAK 封装：便于表面贴装生产，兼顾散热与安装可靠性。

三、电气参数（基于给定基础参数）

• 正向压降（Vf）：520 mV @ IF = 7.5 A
• 直流整流电流（IF(AV)）：7.5 A
• 反向电压（VR）：45 V
• 反向电流（IR）：500 μA @ VR = 45 V
• 非重复峰值浪涌电流（Ifsm）：75 A
• 封装：DPAK（表面贴装）

（注：实际设计请以 ST 官方数据手册为准，包含温度系数、典型曲线与完整极限参数。）

四、封装与热管理

DPAK（TO‑252）为常见的表面贴装功率封装，具有良好的焊接可靠性和散热通道。设计要点：

• 在 PCB 上为 DPAK 提供合适的散热铜箔（底部大地或电源平面）并配合过孔导热到内层/背面铜箔以降低结‑到‑环境热阻。
• 注意整流电流 7.5 A 的长期工作时结温控制，必要时进行电流分流或改用更大功率封装。
• 在高峰值浪涌或高环境温度下，反向漏电会增加，应查看器件的结温与漏电关系曲线并进行热裕度设计。

五、典型应用场景

• 开关电源输出整流（低压大电流场合）
• 降压（buck）转换器的同步或非同步整流（二极管替代）
• 电池充电器与电源适配器
• 汽车电子（12 V/24 V 系统中的续流或保护）
• 极性保护、反向保护电路
• 半桥或全桥整流单元（利用共阴极方便布局）

六、设计注意事项

• 考虑反向耐压裕度：45 V 适合多数 12 V/24 V 系统，但在有电压尖峰或负载瞬变时应预留安全裕度或加抑制元件（TVS）。
• 温度对漏电与 Vf 的影响：肖特基二极管在高温下漏电与正向压降特性会变化，长期高温会显著增大损耗和漏电。
• 并联应用：若需要超过 7.5 A 的连续电流，应优先选用额定电流更高的器件；若并联使用需注意电流均分（推荐串联小阻并采取平衡措施）。
• 开关噪声与 EMI：肖特基因无显著反向恢复而开关损耗低，但仍需在版图与滤波设计上控制寄生电感与电流回路面积以减小 EMI。
• 冲击保护：尽管 Ifsm = 75 A，但频繁大幅冲击会影响寿命，设计中宜控制浪涌次数和幅度。

七、可靠性与选型参考

ST 半导体的肖特基二极管经过封装和温度循环测试，适合工业级的功率应用。选型时：

• 确认应用中的连续与峰值电流、反向电压与工作温度范围；
• 根据 PCB 热阻与散热设计评估结温，必要时选择更高额定电流或更低 Rth 的封装；
• 在采购时参考 ST 的完整数据手册与封装图，并核对封装（DPAK）与引脚排列以保证替换兼容。

八、结论

STPS15L45CB 是一款面向中低电压、高效率整流应用的 DPAK 肖特基二极管，具有低正向压降（0.52 V @ 7.5 A）、良好的浪涌能力（75 A）和方便的共阴极配置。适合开关电源输出整流、车用电子和各类 DC–DC 变换器场景。实际应用中应重视热管理与反向电压裕度，并参考 ST 官方数据手册完成最终电气与热设计验证。若需更高电流或更高耐压，请考虑 ST 的其它系列或更大封装产品。