型号:

STGB30H60DFB

品牌:ST(意法半导体)
封装:D2PAK
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
STGB30H60DFB 产品实物图片
STGB30H60DFB 一小时发货
描述:IGBT管/模块 600V 260W FS(场截止) 60A D2PAK
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产品参数
属性参数值
IGBT类型FS(场截止)
集射极击穿电压(Vces)600V
集电极电流(Ic)60A
功率(Pd)260W
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)2V@15V,30A
栅极电荷(Qg@Ic,Vge)149nC
开启延迟时间(Td(on))37ns
关断延迟时间(Td(off))146ns
导通损耗(Eon)0.383mJ
关断损耗(Eoff)0.293mJ
反向恢复时间(Trr)53ns

STGB30H60DFB 产品概述

产品简介

STGB30H60DFB 是由意法半导体(STMicroelectronics)开发的一款高性能绝缘栅双极型晶体管(IGBT),其额定电压为600V,最大工作电流为60A,适用于多种高功率应用,如逆变器、电动机驱动、电源管理和高频变换设备等。这款 IGBT 的设计充分考虑了高效能、低开关损失和广泛的工作温度范围,使其成为现代电力电子系统中理想的关键元器件。

基础参数

  1. 安装类型:STGB30H60DFB 属于表面贴装类型(SMD),这使得其在电路板上的布置更加灵活,并有助于降低装配成本和提高生产效率。
  2. 最大集电极电流(Ic):限值为60A,适合于需要高电流承载能力的应用场合。
  3. 最大集电极-发射极击穿电压(Vce):可承受最高600V,对于高电压应用具有良好的兼容性。
  4. 栅极电荷(Qg):149nC 的栅极电荷有助于降低驱动功耗并提高开关速度。
  5. 开关能量:在特定条件下(400V、30A、10Ω、15V),其开关能量为383µJ(开),293µJ(关),显示出该元件在开关操作中的高效能。
  6. 工作温度范围:符合-55°C至175°C的工作温度特性,可以在恶劣的环境条件下稳定运行。

设计特点

  • IGBT 类型:STGB30H60DFB 为沟槽型场截止IGBT,该设计降低了导通损耗并提升了开关效率,这对于高频率操作至关重要。
  • 反向恢复时间(trr):仅为53ns,明显缩短了关断过程中的电流回流时间,进一步提高了工作效率和响应速度。
  • 开关延迟时间(Td):在25°C的测试条件下,开/关延迟分别为37ns/146ns。这使得该元件在高频开关应用中表现出色,满足快速响应的需求。

应用领域

STGB30H60DFB IGBT非常适合于以下几类应用:

  • 逆变器:用于太阳能电源、风力发电系统及其他可再生能源发电系统中的电能转换。
  • 电动机驱动:在电动汽车、电梯、空调和工业驱动应用中,提供高效可靠的电机控制。
  • 开关电源:用于各类电源转换器,帮助实现高效电能转换,提高能量利用率。
  • 高频变换设备:在激光器和超声波设备等要求高频率操作的应用中,能够精确高效地处理电能。

封装与可靠性

STGB30H60DFB 提供 D2PAK 封装,这种封装形式能够有效散热,有为设备的高功率处理提供了良好的热管理能力。此外,D2PAK 封装也便于在自动化生产过程中实现高效装配,进而提升生产性能。

总结

总体而言,STGB30H60DFB IGBT 以其优越的电气性能、宽广的工作温度范围和出色的开关效率,成为现代高功率电力电子系统中的一款理想选择。其在电动机驱动、逆变器和开关电源领域的应用有助于实现更高的能效和更低的损耗,为企业和用户提供了可靠的解决方案。无论在工业、商业还是消费类电子产品中,STGB30H60DFB 都将为提升其性能和效率发挥重要作用。