型号:

STGB20NB41LZT4

品牌:ST(意法半导体)
封装:D2PAK
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
STGB20NB41LZT4 产品实物图片
STGB20NB41LZT4 一小时发货
描述:IGBT-442V-40A-200W-表面贴装型-D2PAK
库存数量
库存:
0
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
5.85
1000+
5.65
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vces)442V
集电极电流(Ic)40A
功率(Pd)200W
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)2V@4.5V,20A
栅极电荷(Qg@Ic,Vge)46nC
开启延迟时间(Td(on))1us
关断延迟时间(Td(off))12.1us
导通损耗(Eon)5mJ
关断损耗(Eoff)12.9mJ
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

STGB20NB41LZT4 产品概述

产品简介

STGB20NB41LZT4 是意法半导体(STMicroelectronics)公司推出的一款高性能绝缘栅双极晶体管(IGBT)。该器件专为要求高电压和大电流操作的应用而设计,适合各种工业和消费电子领域的电源管理系统。

基础参数

  1. 安装类型: STGB20NB41LZT4 采用表面贴装型(SMD)封装,具有更小的占用空间并易于集成于现代电路板设计中。

  2. 电流和电压特性:

    • 最大集电极电流(Ic): 该器件支持高达 40A 的集电极电流,非常适合高功率电源应用。
    • 集射极击穿电压(Vce): 其最大击穿电压为 442V,确保在高电压系统中提供足够的安全裕度,适合用于工业设备和交流驱动中。
  3. 开关特性:

    • 开关能量: STGB20NB41LZT4 在开关过程中表现出低的开关能量损失,开关能量分别为 5mJ(开)和 12.9mJ(关),有助于提高整个系统的效率。
    • 电流脉冲(Icm): 该器件的脉冲电流能力可达 80A,使其能承受瞬时高电流冲击,适合于逆变器和电动机驱动应用。
  4. 栅极电荷: 栅极电荷为 46nC,这意味着在开关操作中所需的驱动功耗较低,适合驱动电路设计。

  5. 工作温度范围: STGB20NB41LZT4 支持宽广的工作温度范围,达到 -55°C 至 175°C,确保在极端环境下的稳定性和可靠性。

  6. 开关延迟时间: 在 25°C 时,开和关的时间延迟分别为 1µs 和 12.1µs,适合快速切换应用,提高系统的响应速度。

应用场景

STGB20NB41LZT4 适合于多种高功率应用场合,包括但不限于:

  1. 电机驱动

    • 可用于各种电动机的驱动控制, 包括工业电动机和电动车辆中的动力系统。
  2. 逆变器

    • 在可再生能源系统(如太阳能逆变器)和 UPS(不间断电源)系统中,充当转换电源的关键元件,确保高效率和稳定性。
  3. 电源管理

    • 在高效电源转换器中,该器件能够有效实现电源的开关控制,从而优化功率效率。
  4. 焊接设备

    • 在电弧焊接等重负载应用中,可以实现高频开关,使焊接过程平稳而高效。

结论

STGB20NB41LZT4 是一款综合性能卓越的 IGBT 功率器件,凭借其高电流与电压能力、低开关损耗以及适应极端环境的能力,使其成为工业及消费领域中不可或缺的元件。随着技术的进步和对高效能电源的需求日益增长,该器件将在未来的电源管理和驱动系统中发挥重要作用。通过合理的设计与应用,STGB20NB41LZT4 能够有效提升系统性能,降低能耗,助力绿色技术发展。