STF6N90K5 产品概述

一、概述

STF6N90K5 是意法半导体（ST）推出的一款高压 N 通道 MOSFET，额定漏—源电压 Vdss 为 900V，适合高压开关应用。该器件为通孔封装（TO-220FP-3），属于功率 MOSFET（单极）家族，设计用于在较高电压下进行可靠的开关和功率控制。

二、主要特性

• N 通道 MOSFET，Vdss = 900V，适用于高压域。
• 连续漏极电流 Id = 6A（在封装温度 Tc 条件下）。
• 在 Vgs = 10V、Id = 3A 条件下最大 Rds(on) = 1.1 Ω（取值用于热与损耗评估）。
• 门阈值 Vgs(th) 最大值 5V（测量电流 100µA），非保证逻辑电平导通。
• 最大门极电压 Vgs(max) = ±30V。
• 功率耗散 Pd(max) = 25W（在 Tc）。
• 工作结温范围 TJ = −55°C 至 150°C。
• 封装：TO-220FP-3（通孔，带绝缘/整包形式，便于装散热器并实现安全隔离）。

三、电气与驱动建议

• 推荐门极驱动电压 10–12V 以接近标称 Rds(on)；由于 Vgs(th) 可达 5V，单靠逻辑 5V 驱动可能无法充分导通。
• 门极驱动时建议串联门阻（几十欧姆视布局与寄生电感定），并在门极与源极间并接限压二极管或 TVS，以防止超过 ±30V 的瞬态。
• 导通损耗举例：按 Rds(on)=1.1Ω，I=3A 时 P≈I^2·R ≈ 9.9W，说明在高电流工作时需良好散热。

四、热管理与封装注意

• Pd=25W 为在 Tc（壳温）下的最大耗散，实际 PCB 或散热条件会显著影响器件结温；建议使用合适散热片并注意热阻路径。
• TO-220FP-3 便于通孔安装与固定散热器，安装时确保良好热接触并考虑绝缘垫或间隔以满足电气隔离需求。

五、典型应用

• 离线开关电源（高压初级开关）
• 功率变换器、高压逆变器与 PFC 电路
• 电源保护电路与高压开关模块
• 高压实验与工业控制中的开关元件

六、选型与使用注意事项

• 若电路要求较低导通损耗或持续大电流，应考虑更低 Rds(on) 的替代件；STF6N90K5 更适合高压、低至中等电流应用。
• 必须设计适当的开关缓冲（吸收网络/阻尼/RC snubber），以降低开关瞬变应力并保护器件免受高 dv/dt 和过压。
• 在布局上尽量减小漏—源回路的寄生电感，门极走线短且靠近驱动器，确保稳定驱动与可靠工作。

总结：STF6N90K5 提供 900V 的高压耐受和适中的电流能力，适合离线高压开关场合。使用时重视门极驱动、散热与瞬态保护，可发挥其在高压功率设计中的稳定性与可靠性。