STB10N95K5 产品概述

一、产品简介

STB10N95K5 是一款高压 N 沟道功率 MOSFET，适用于要求 900V 级耐压与中等电流的电源和开关应用。器件关键参数：耐压 Vdss = 950V，连续漏极电流 Id = 8A，导通电阻 RDS(on) = 800mΩ（Vgs=10V），耗散功率 Pd = 130W。封装采用 D2PAK，工作温度范围宽 (-55℃ 至 +150℃)，便于高温与工业环境下长期可靠运行。

二、主要特点

• 高耐压：Vdss = 950V，适用于高压开关电源、功率因数校正（PFC）等场合。
• 合理的导通电阻：RDS(on) 约 800mΩ（Vgs=10V），在高压场景下实现较低导通损耗与良好开关效率的折中。
• 开关性能：总栅极电荷 Qg = 22nC（Vgs=10V），输入电容 Ciss = 630pF，输出电容 Coss = 50pF，反向传输电容 Crss = 0.6pF，适配常见驱动器与快速开关要求。
• 宽温度工作：-55℃ 至 +150℃，适配严苛工业与电力电子环境。
• 封装与功耗：D2PAK 表面贴装，器件耗散功率 Pd = 130W（需配合散热设计）。

三、电性能与驱动建议

为获得稳定性能，建议栅极驱动采用 10V 的驱动电压以达到标称 RDS(on)。考虑到 Qg=22nC，驱动器需具备足够电流能力以快速充放电栅极，降低开关损耗与切换过渡时间。Vgs(th)=5V（在 Ig=100µA 条件下）表明器件阈值较高，低压逻辑直接驱动可能无法完全开启，务必使用适配的栅极驱动电路或隔离栅极驱动器。

四、开关损耗与电容影响

Ciss=630pF 和 Coss=50pF 代表器件在高电压下的能量存储特性。较大的 Ciss 会增加栅极充电能量，影响驱动器负担；低 Coss 有利于减小开关过程的能量交换。Crss 极小（0.6pF）有利于降低米勒效应对误触发与开关稳定性的影响。系统设计中应权衡导通损耗与开关损耗，采用合适的死区时间与缓冲电阻以减少振铃与应力。

五、热管理与封装注意

D2PAK 为功率级表面贴装封装，需配合 PCB 大面积散热铜箔与热过孔（vias）将热量导出。在高功率或高占空比工作下，应评估结—环境温升并采用散热器或底部焊盘增强散热。在设计时注意 Pd=130W 为器件极限耗散能力，实际应用需在安全裕量内工作，并参考实际环境与 PCB 导热条件计算结温。

六、典型应用场景

• 高压开关电源与反激/正激转换器的主开关管；
• 功率因数校正（PFC）级别开关；
• 工业电源与电源模块中的高压开关；
• 电池充电、电动车充电桩等需高压耐受的功率电路。

七、可靠性与选型建议

在选型与布局过程中，确认驱动电压（建议 10V）、栅极驱动电流以及 PCB 散热能力。对高压开关场合，需考虑浪涌电压、开关应力和瞬态过压保护（如吸收器、RC 缓冲或 TVS）以延长器件寿命。建议在样机阶段做热仿真与开关耐久测试以验证长期可靠性。

八、封装与订购信息

• 品牌：ST (意法半导体)
• 封装：D2PAK（表面贴装，适合自动贴片与波峰/回流焊工艺）
• 数量：1 个 N 沟道 MOSFET（单片）

以上概述基于器件关键参数（Vdss、Id、RDS(on)、Qg、Ciss/Coss/Crss、工作温度与 Pd）给出设计与应用建议。实际设计请参考厂商完整数据手册与波形、热阻与可靠性试验数据以确保合规与长期稳定。