SSTA06T116 产品概述

一 概述

SSTA06T116 是 ROHM（罗姆）推出的一款小型 SOT-23 封装 NPN 双极型晶体管，定位于通用开关与小信号放大应用。器件在中等电流范围内具有较高的直流电流增益与较低的饱和压降，适合空间受限的便携式与消费电子电路。

二 关键参数

• 晶体管类型：NPN（单颗）
• 集电极-射极击穿电压 Vceo：80 V
• 额定集电极电流 Ic：500 mA（峰值使用需参照散热条件）
• 直流电流增益 hFE：100（测试条件 Ic=100 mA，VCE=1 V）
• 特征频率 fT：100 MHz
• 集电极截止电流 Icbo：100 nA
• 射基极击穿电压 Vebo：4 V（注意反向基−射限值）
• 集射极饱和电压 VCE(sat)：约 250 mV（在 100 mA 条件下测试）
• 功耗 Pd：350 mW（SOT-23 封装，环境及 PCB 散热影响显著）

三 主要特性与优势

• 高增益：在 100 mA 工作点具备约 100 的 hFE，便于减小基极驱动电流，适合做驱动级与电流放大。
• 宽耐压：80 V 的 Vceo 提供良好耐压裕度，可用于较高电压的开关场合。
• 快速响应：100 MHz 的 fT 支持中高频信号放大及一般开关速度需求。
• 低饱和压降：在开关工作时 VCE(sat) 低，有助于降低功耗与发热。

四 典型应用

• 小电流继电器/驱动器、继电器/继电器阵列驱动
• LED 驱动与开关控制（需限定电流）
• 低压放大器、前置放大与增益级
• 一般开关元件、反向电压保护电路（注意 Vebo 限制）

五 设计与 PCB 布局建议

• 严格控制功耗：SOT-23 封装的 Pd 限制要求在较高电流下优化铜箔面积以增强散热，必要时降低工作电流或使用并联/替代器件。
• 基极驱动：根据 hFE 选取基极限流电阻，开关工作时建议适当基极过驱以保证饱和，但需避免超过 Vebo 的反向应力。
• 布线：集、发、基引脚走线尽量短且粗，接地与电源旁路电容靠近负载，减少寄生电感与振铃。
• 参考数据表：针脚排列与最大额定值随封装和制造批次可能差异，设计前务必查阅 ROHM 官方完整数据手册。

六 注意事项与限制

• Vebo 仅 4 V，禁止基极对射极施加较大反向电压。
• Pd 350 mW 在无额外散热时限制连续 Ic，500 mA 多为短时或在良好散热条件下允许的峰值。
• 高频下增益衰减：fT 为参考上限，实际增益随频率和电流下降，需按具体频率响应评估。

七 总结

SSTA06T116 在小封装下提供较高增益、良好耐压和低饱和压降，适用于中等电流的开关与放大场合。设计时应重点关注热管理、基极驱动和基-射极反向电压限制，以确保性能与可靠性。有关引脚定义、典型等效电路与测试条件，请参考 ROHM 的官方数据手册。