SN74CBTLV3253DR 产品概述

一、简介

SN74CBTLV3253DR（TI）是一款面向低压系统的双通道 4:1 模拟多路复用器，封装为 16-SOIC。器件支持单电源工作，电压范围 2.3V～3.6V，工作温度 -40℃～+85℃。每通道可在四路输入之间进行选通，适用于对模拟或数字信号的快速、双向切换与路由。

二、主要性能参数

• 电源极性：单电源（VCC = 2.3V ～ 3.6V）
• 通道配置：2 个独立 4:1 模拟多路复用（总输入 8，输出 2）
• 静态电流（Iq）：典型 10 μA（低待机功耗，适合便携应用）
• 传播延迟（tpd）：0.25 ns（在 3.3V、CL = 50 pF 条件下）
• 工作温度：-40℃ ～ +85℃
• 封装：16-SOIC（DR）
• 品牌：Texas Instruments（TI）

三、产品特点（要点）

• 双通道、独立选择，便于信号并行切换；
• 支持双向模拟信号传输，适用于音频、视频与传感器信号；
• 低静态电流与快速传输延时，兼顾低功耗与高速性能；
• 低导通电阻和良好线性度（具体 Ron、泄漏电流、注入电荷等参数请参见 TI 数据手册）；
• TTL/CMOS 兼容的控制输入，便于与微控制器或 FPGA 直接接口。

四、典型应用

• 多通道 ADC 前端多路采样与通道选择；
• 便携式设备的音频/视频信号路由；
• 传感器阵列的信号复用与节能采集；
• 通信测试与信号切换板；
• 低功耗数据采集系统与混合信号前端。

五、使用建议与注意事项

• 被切换信号电平应限制在 GND 与 VCC 之间，超出可能损坏器件；
• Ron、开关失真与泄漏随 VCC、温度及信号幅度变化，关键设计请参考数据手册曲线以估算误差；
• 对高速或大电容负载，应考虑驱动能力与寄生电容对上升/下降沿的影响；
• PCB 布局建议靠近 VCC 做去耦电容，控制引脚走线短且远离高速模拟走线以降低干扰。

六、采购与资料

如需完整电气特性（导通电阻、关断漏电、注入电荷、功耗曲线、时序图）与封装引脚图，请查阅 TI 官方数据手册与应用说明，以便在具体电路中进行精确设计与仿真。