CAT24M01HU5I-GT3 产品概述

一、产品简介

CAT24M01HU5I-GT3 是安森美（ON Semiconductor）提供的一款非易失性串行 EEPROM，容量为 1 Mbit（128k x 8）。器件通过 I2C 接口通讯，支持最高 1 MHz 时钟，工作电压范围宽（1.8 V 至 5.5 V），工作温度为 -40 ℃ 至 +85 ℃，封装为小型 UDFN-8（2 mm × 3 mm）。该器件针对空间受限、需长期数据保持的系统设计，兼顾低电压供电与工业温度可靠性。

二、主要特性

• 存储容量：1 Mbit（128k × 8bit）
• 接口类型：I2C（支持最高 1 MHz 时钟）
• 电源电压：1.8 V ～ 5.5 V，兼容 1.8V 低压与 5V 传统系统
• 工作温度：-40 ℃ ～ +85 ℃
• 数据保持（TDR）：100 年
• 写循环寿命：100 万次（写耐久）
• 单次写周期时间（Tw）：5 ms
• 封装：UDFN-8（2×3 mm），适合高密度应用

三、电气与性能要点

• 器件支持广泛电压范围，便于与不同 MCU/传感器平台直接相连，减少电平转换器需求。
• 典型写周期为 5 ms，系统设计时应预留写入完成时间或使用 ACK 轮询机制查询写入完成状态，以免后续操作冲突。
• 高达 1 MHz 的 I2C 时钟支持较快的读写吞吐，适合需要频繁配置或日志上传的应用场景。

四、封装与机械特征

• UDFN-8（2×3 mm）封装体积小、热性能好，适用于便携产品与空间受限板载设计。
• 建议在 PCB 布局时靠近器件放置去耦电容，并留足焊盘及热散通孔（若有散热需求）以保证可靠焊接与稳定工作。

五、典型应用

• 工业控制中的参数存储与标定数据保存
• 消费电子与可穿戴设备的配置与标识信息保存
• 汽车电子（车内非关键系统）与智能传感节点
• 电池管理、计量设备与任何需长期保存少量关键数据的嵌入式系统

六、可靠性与寿命说明

• 器件宣称的数据保持时间达 100 年，适合需长期保存配置/校准数据的产品。
• 写入耐久度高达 100 万次，满足大量写入场景（如频繁配置或循环日志）但仍建议根据实际使用模式合理分配写入位置以延长寿命（磨损均衡）。

七、设计与使用建议

• 电源侧添加合适的去耦电容（如 0.1 µF）以抑制瞬态噪声，尤其在 1.8 V 低压工作时更为重要。
• I2C 总线上按需配置上拉电阻，阻值根据总线容量与速度选定（高速情况需较小电阻），并避免多个器件之间的拉高冲突。
• 写入操作后等待 Tw（约 5 ms）或使用 ACK 轮询判断写操作是否完成，防止在内部写周期中发起新的写命令导致数据异常。
• 在多设备系统中注意 I2C 器件地址冲突并做好地址分配或片选管理。

总结：CAT24M01HU5I-GT3 提供高可靠性的 1 Mbit EEPROM 功能，宽电压、工业温度与小型封装使其在多类嵌入式与工业应用中具有良好适配性。设计时关注总线拉拔、写周期管理与 PCB 布局，可充分发挥器件在长期数据保持与高耐久场景下的优势。