型号:

LQW15AN11NG00D

品牌:muRata(村田)
封装:0402
批次:25+
包装:编带
重量:0.012g
其他:
-
LQW15AN11NG00D 产品实物图片
LQW15AN11NG00D 一小时发货
描述:功率电感 140mΩ 11nH ±2% 500mA
库存数量
库存:
24643
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:10000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.112
10000+
0.0919
产品参数
属性参数值
电感值11nH
精度±2%
额定电流500mA
直流电阻(DCR)140mΩ
类型非屏蔽电感

LQW15AN11NG00D 产品概述

一、产品简介

LQW15AN11NG00D 是村田(muRata)推出的一款微型功率电感,封装为0402,标称电感值为 11 nH,精度 ±2%,直流电阻(DCR)约 140 mΩ,额定电流 500 mA,非屏蔽结构。该器件在体积极小的前提下兼顾了电流承载能力与较低的直流损耗,适合对体积和性能都有严格要求的移动设备、电源滤波与高频去耦应用。

二、主要性能特点

  • 极小封装:0402 小体积,适合高密度 PCB 布局与空间受限的便携设备。
  • 低电感值:11 nH,适合高频滤波、匹配及电源去耦等场合。
  • 精度高:±2% 的电感公差利于设计一致性,减少调试成本。
  • 额定电流 500 mA:可满足中小电流电源路径的滤波需求。
  • 低 DCR(约 140 mΩ):减小 I^2R 损耗,有利于降低发热和提升系统效率。
  • 非屏蔽结构:更简单的磁场分布,有时在高频应用中可获得更好的 Q 值,但 EMI 管理需在系统层面考虑。

三、典型应用场景

  • 手机、智能穿戴等便携设备的电源去耦与局部滤波(LDO 输出、开关电源输入/输出滤波)。
  • 高频 DC-DC 变换器的能量传输与输出滤波(尤其是需要小电感值的同步降压或升压拓扑)。
  • 射频前端或射频滤波电路中的阻抗匹配与旁路(需注意非屏蔽件对辐射的影响)。
  • EMI/EMC 抑制与信号完整性改善(与电容配合形成低通滤波单元)。

四、关键电气参数解析

  • 电感值 11 nH ±2%:适用于高频工作点,注意实际工作时电感随频率和直流偏置电流会下降。
  • 直流电阻 140 mΩ:在 500 mA 条件下理论损耗约 35 mW(P = I^2·R),在大部分便携系统中热影响较小。
  • 额定电流 500 mA:表示在规定条件下保持性能的最大连续电流值,超过该值会引起电感饱和或温升超限。设计时建议留有裕量以保障长期可靠性。
  • 非屏蔽特性:非屏蔽电感的磁通更易辐射到周围,若用于靠近敏感 RF 模块或天线位置,应评估 EMI 影响并采取必要的屏蔽或布局隔离措施。

五、封装与机械特性

  • 0402 封装(近似尺寸 1.0 mm × 0.5 mm,具体尺寸以厂商规格书为准),适合自动贴装生产。
  • 小尺寸带来布线和焊接工艺要求较高,建议按照厂商推荐的焊盘设计与贴片工艺进行。
  • 由于器件为非屏蔽结构,安装方向对电磁耦合影响较小,但距离敏感器件的间距应予以留意。

六、选型与使用建议

  • 预留裕量:建议在设计时将稳态工作电流控制在额定电流的 70–80% 以下,以减少饱和和温升风险。
  • 考虑直流偏置效应:实际工作电感可能随直流偏置下降,若电感值对滤波截止频率影响显著,应在真实偏置条件下测量。
  • DCR 与热管理:计算在最大工作电流下的功耗并评估 PCB 热散能力,必要时增加铜箔面积或散热策略。
  • EMI 管控:非屏蔽电感在高频和邻近 RF 模块时可能引起辐射问题,必要时采用屏蔽电感或通过布局/地平面隔离来降低耦合。
  • 与电容配合:与低等效串联电阻(ESR)电容搭配,能形成更有效的去耦/滤波单元。

七、焊接与可靠性注意事项

  • 建议遵循村田提供的回流焊工艺曲线与焊盘推荐尺寸,避免过高的热应力和不当回流导致焊点缺陷。
  • 贴片及回流后建议进行目检与 X 光 检测以确认焊接质量,必要时做热循环与机械振动测试以评估长期可靠性。
  • 在板级设计中,避免在器件周围留有锋利应力集中点,减少热循环和震动下的焊盘分层风险。

八、结语

LQW15AN11NG00D 在 0402 小封装下提供了 11 nH、±2% 的高精度电感解决方案,适用于空间受限且对频率响应和效率有要求的电源与高频滤波应用。设计时需关注直流偏置对电感的影响、DCR 带来的功耗及非屏蔽结构可能的 EMI 问题。最终选型与可靠性验证应基于实际工作条件和厂商规格书中的详细参数与推荐做法。若需工程样品或更详细的频率特性、饱和特性曲线,请参考村田官方数据手册或联系供应商获取原厂技术资料。