LM2904LVIDR 产品概述

一、概述

LM2904LVIDR 为 TI（德州仪器）提供的双路运算放大器，面向低功耗、通用信号调理场景。器件在保证低静态电流的同时提供较好的共模抑制与低噪声性能，适合电池供电与便携式系统的前端放大与滤波应用。

二、主要参数

• 放大器数：双路
• 共模抑制比（CMRR）：84 dB
• 噪声密度（eN）：40 nV/√Hz @ 1 kHz
• 增益带宽积（GBP）：1 MHz
• 压摆率（SR）：1.5 V/µs
• 输入失调电压（Vos）：1 mV，温漂 4 µV/℃
• 输入偏置电流（Ib）：92 pA；输入失调电流（Ios）：5 pA
• 静态电流（Iq）：90 µA（典型）
• 输出电流：40 mA
• 电源范围：单电源 2.7 V ~ 5.5 V；双电源 ±1.35 V ~ ±2.75 V（等效电源宽度上限 9 V）
• 工作温度：-40 ℃ ~ +125 ℃
• 封装：SOIC-8

三、性能亮点

• 低功耗：90 µA 的静态电流适合电池供电系统，延长待机时间。
• 低噪声与高 CMRR：40 nV/√Hz 与 84 dB 的组合令小信号放大时具备良好信噪比与抗共模干扰能力。
• 合理的带宽与压摆率：1 MHz GBP 与 1.5 V/µs 的速率使其在低中频信号处理、滤波与缓冲中表现稳定。
• 双通道与较大输出能力（40 mA）：便于在单一器件上实现差分放大、双路信号链或驱动小负载。

四、典型应用

• 传感器信号调理（温度、压力、光电等）
• 低功耗便携式测量仪器与数据采集前端
• 主动滤波器与缓冲放大器
• 电平搬移与比较前级（非高速比较）
• 精密低频放大场合（注意带宽与失真要求）

五、封装与热特性

SOIC-8 封装便于常见 PCB 工艺安装与批量生产，器件工作温度范围为 -40 ℃ 至 +125 ℃，适合工业级应用。设计时需注意封装散热路径与环境温度对偏置漂移的影响。

六、使用与设计注意事项

• 电源去耦：推荐近端放置 0.1 µF 陶瓷电容以抑制电源噪声与保持稳定。
• 输出驱动与负载：40 mA 为典型驱动能力，驱动低阻负载时注意功耗与压降。
• 稳定性：若驱动大电容或构成高增益回路，需评估相位裕度并在必要时采取隔离电阻或补偿网络。
• 输入/输出摆幅：在接近电源轨附近工作时，请参考器件数据手册关于共模输入范围与输出摆幅的详细说明，避免超出规定范围导致性能下降。

七、选型建议与对比

若要求更高带宽或更低噪声，应考虑专门的高速或低噪声放大器型号；若对更低功耗有极端要求，可寻找微功耗放大器。选择时以工作电源、电流消耗、带宽与噪声指标为主。

八、结语

LM2904LVIDR 对于需要双通道、低功耗与良好抗干扰能力的通用信号调理任务是一个平衡的选择。设计中关注电源去耦、负载条件与增益设置，可以在工业与便携类应用中获得稳定且可靠的放大性能。若需基于具体电路的仿真或引脚说明，可进一步参考 TI 官方数据手册与评价板资料。