LM5110-1MX/NOPB 产品概述

一、简介

LM5110-1MX/NOPB 是德州仪器（TI）推出的一款双通道栅极驱动芯片，专为高速功率MOSFET驱动设计，封装为 SOIC-8，适用于开关电源、同步整流和半桥/全桥拓扑。芯片内置欠压保护(UVP)，支持宽工作电压和高温工作环境，便于在汽车电子、工业电源等严苛场景使用。

二、主要特性

• 驱动通道数：2 通道，专为 MOSFET 负载设计
• 工作电压：3.5 V ~ 14 V，适配常见栅极驱动电压域
• 驱动能力：拉电流(IOH) 3 A、灌电流(IOL) 5 A（短脉冲高电流能力）
• 开关性能：上升时间 tr ≈ 14 ns，下降时间 tf ≈ 12 ns；传播延迟 tpLH / tpHL ≈ 25 ns
• 保护与可靠性：欠压保护 (UVP)；工作温度范围 -40 ℃ ~ +125 ℃
• 封装：SOIC-8，无铅 (NOPB)

三、典型应用场景

• 同步降压/升压转换器的高低侧 MOSFET 驱动
• 半桥/全桥电机驱动和逆变器前端驱动
• 高效率开关电源、点对点供电和功率级开关阵列

四、设计要点与 PCB 布局建议

• 电源去耦：在驱动电源（VCC/PVCC）近旁放置 0.1 µF（陶瓷）和 1 µF~10 µF 的旁路电容，减少瞬态压降。
• 输出回路最短：驱动引脚到 MOSFET 栅极的走线尽可能短，减小寄生电感与振铃。
• 共地策略：将功率地与模拟/数字地采用局部汇流或星形连接，并保证大面积铜箔散热。
• 串联栅阻：为控制开关速度与振铃，建议在每路栅极加可调的串联栅阻（按 MOSFET 的栅电荷与系统 EMI 要求选型）。
• 热管理：大电流脉冲时注意 PCB 铜箔散热，若长期大电流工作需评估封装热阻并预留散热路径。

五、可靠性与注意事项

• 确保驱动供电在 3.5 V~14 V 范围内；欠压保护可防止在供电不足时错误驱动 MOSFET，但仍应避免频繁欠压循环。
• 不要超出 IOH/ IOL 瞬时及平均能力；若需要更大持续电流，应分担或选择并联驱动/外部缓冲。
• 开关速度与 EMI 成正比，系统级需权衡开关损失与电磁干扰，必要时添加 RC 缓冲或吸收网络。
• 在高温环境（接近 +125 ℃）下使用时，应评估器件老化与热漂移对开关时序的影响。

六、封装与订购

• 封装形式：SOIC-8
• 环保信息：NOPB（无铅）
• 推荐配套：选择与驱动能力匹配的 MOSFET（关注门极电荷 Qg 与门极电阻 Rg），并配置合适的栅极电阻与稳压/滤波电源。

总结：LM5110-1MX/NOPB 以其宽工作电压、高瞬态驱动能力、快速上升/下降与内置欠压保护，适合对开关速度和驱动电流有较高要求的功率电子场合。合理的 PCB 布局、去耦设计与外部器件选型是实现稳定可靠工作的关键。