BZB984-C2V7,115 产品概述

一、产品简介

BZB984-C2V7,115 是安世（Nexperia）推出的一款低功耗齐纳二极管阵列，内部包含一对共阳极（common anode）的齐纳二极管，标称稳压值 2.7V，额定耗散功率可达 265mW，公差 ±5%。器件采用 SOT-663-3 小型表面贴装封装，适合空间受限且需稳压/钳位保护的便携与工业电子设备。该器件以小封装、低反向漏电和较高耗散能力为特点，适合用作低压参考、浪涌钳位与偏置稳定。

二、主要技术参数

• 型号：BZB984-C2V7,115（Nexperia）
• 二极管配置：1 对共阳极（两个齐纳二极管共用阳极脚）
• 标称稳压值（Vz）：2.7V（±5%）
• 反向电流（Ir）：20 µA @ VR = 1V（典型泄漏规格）
• 耗散功率（Pd）：265 mW（器件在推荐条件下的额定耗散）
• 动态阻抗（Zzt）：75 Ω（测试条件下的齐纳阻抗）
• 封装：SOT-663-3（小型三脚 SMD 封装）
• 精度：±5%

三、性能要点与实际意义

• 低压参考：标称 2.7V 的齐纳点适合为小电流、低压电路提供稳定参考电压，如基准偏置或比较器的参考源。
• 低漏电：在 1V 反向偏压下 20µA 的漏电表明其在高阻抗节点的偏置影响较小，适合电池供电或低耗电测量电路。
• 动态阻抗较高（75Ω）：表明在较大电流变化下稳压能力会受影响，作为精密基准时需注意配合适当偏置电流或后端缓冲。
• 较高的额定耗散（265mW）：相比一般 SOT-23 小功率齐纳更有余量，但仍需考虑封装及 PCB 散热条件，连续工作时应限流并作热设计。

四、典型应用场景

• 低电压稳压与基准：为传感器前端或低功耗放大器提供简单参考电压。
• 端口/信号钳位：保护微控制器 I/O、ADC 输入不被短时过压损伤。
• 偏置源：为多级放大电路提供偏置电压或参考点。
• 便携设备与消费电子：因封装小、功耗低，适用于手持设备、可穿戴和电池供电模块。
• 工业控制与仪表：用于防止瞬态高压与提供可靠偏置。

五、设计与使用建议

• 偏置电流与限流：建议在实际电路中使用一个串联限流电阻 R 来设置齐纳工作电流 Iz。例：若 Vin = 5V，希望 Iz ≈ 5 mA，则 R ≈ (5V − 2.7V) / 5 mA ≈ 460 Ω。齐纳耗散功率 Pz = Vz × Iz（此例约 13.5 mW），远小于器件额定值，但仍需留裕量。
• 最大电流估算：理论上 Iz_max ≈ Pd / Vz ≈ 265 mW / 2.7 V ≈ 98 mA。但此为理想条件下的计算值，实际应考虑封装散热、PCB 方式与环境温度，建议持续工作电流控制在数 mA 量级以保证长期可靠性。
• 热管理：SOT-663 小封装散热能力受限，需在 PCB 布局时提供适当铜箔散热、短且粗的走线，避免热量聚集。
• 噪声与动态阻抗：75Ω 的动态阻抗提示在要求高精度、低噪声的基准应用中，应在齐纳后加上缓冲放大器或采用更低阻抗的参考源。
• 旁路与滤波：在需要更稳定参考时，可在齐纳两端并联一个低 ESR 的电容以降低噪声，但并联电容会在瞬态时产生电流冲击，需评估整体稳定性。

六、封装、可靠性与订购信息

• 封装形式：SOT-663-3，适合无铅回流焊工艺的标准 SMD 生产线。
• 可靠性：适用于常温商业与工业类环境，但在高温或高功率应力下需作热降额处理。
• 订购：型号标注 BZB984-C2V7,115，品牌 Nexperia。采购时请参考完整的数据手册以获取详细的电气特性曲线、测试条件和封装尺寸图。若需替代件或更高精度、更低阻抗的参考，可在 Nexperia 或其他主流厂商的齐纳系列中选择相近电压与不同功率等级的器件。

总结：BZB984-C2V7,115 以其 2.7V 标称电压、±5% 精度、低漏电与 265mW 的额定耗散，适合于空间与成本受限场景下的稳压、钳位与偏置应用；在设计中应合理设置偏置电流并注意封装的热管理以保证长期稳定性与可靠性。