型号:

LM358AWST

品牌:ST(意法半导体)
封装:MiniSO-8
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
-
LM358AWST 产品实物图片
LM358AWST 一小时发货
描述:运算放大器 LM358AWST
库存数量
库存:
3647
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:4000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.646
4000+
0.6
产品参数
属性参数值
放大器数双路
最大电源宽度(Vdd-Vss)30V
增益带宽积(GBP)1.1MHz
输入失调电压(Vos)2mV
输入失调电压温漂(Vos TC)7uV/℃
压摆率(SR)600V/ms
输入偏置电流(Ib)20nA
输入失调电流(Ios)2nA
噪声密度(eN)55nV/√Hz@1kHz
共模抑制比(CMRR)85dB
输入失调电流温漂(Ios TC)10pA/℃
静态电流(Iq)700uA
输出电流40mA
工作温度0℃~+70℃
单电源3V~30V

LM358AWST 运算放大器产品概述

一、产品简介

LM358AWST 是意法半导体(ST)推出的一款双路低功耗运算放大器,适用于单电源或双电源供电场合。器件在宽电源电压范围内稳定工作、具备较高共模抑制比和低噪声特性,适合模拟信号调理、传感器接口及常规放大电路。封装为 MiniSO-8,适合体积受限的 PCB 布局与批量封装需求。

二、主要技术参数

  • 放大器数:双路
  • 电源范围(单电源):3V ~ 30V,最大电源幅度 Vdd-Vss = 30V
  • 共模抑制比(CMRR):85 dB
  • 噪声密度 eN:55 nV/√Hz @ 1 kHz
  • 开环输入失调电压(Vos):2 mV
  • 输入失调电压漂移(Vos TC):7 μV/℃
  • 输入偏置电流(Ib):20 nA
  • 输入失调电流(Ios):2 nA
  • 输入失调电流温漂(Ios TC):10 pA/℃
  • 增益带宽积(GBP):1.1 MHz
  • 压摆率(SR):600 V/ms
  • 静态电流(Iq):700 μA(整片)
  • 输出电流能力:40 mA
  • 工作温度范围:0℃ ~ +70℃
  • 品牌与封装:ST(意法半导体),MiniSO-8

三、性能特点与优势

  • 宽电源电压范围与较高的最大电源幅度,适配多种系统电源设计。
  • 较高的 CMRR(85 dB)有利于抑制共模干扰,提升差分信号测量准确性。
  • 低噪声密度(55 nV/√Hz@1kHz)使其在低电平信号放大时具备较好信噪比。
  • 低静态电流(700 μA)适合对功耗有一定要求的便携或长时间工作系统。
  • 输出驱动能力(40 mA)能够直接驱动小负载或后级缓冲,减少外围器件需求。

四、典型应用场景

  • 传感器信号调理(温度、电流、电压传感等)
  • 基本滤波与有源滤波电路
  • 仪表放大器前端与差分放大场合(结合适当拓扑)
  • 工业控制与数据采集接口
  • 便携式与低功耗模拟前端设计

五、设计与使用要点

  • 在靠近放大器电源脚和地的地方布置旁路电容,以抑制电源噪声并保证稳定性。
  • 对于高增益或低频精密测量场合,应关注输入失调电压及其温漂,并在必要时采用失调校正或外部调零。
  • 当需要更高带宽或更快压摆率时,应评估是否满足系统动态要求(本器件 GBP=1.1 MHz,SR=600 V/ms)。
  • 输出驱动接近最大额定电流时,应注意功耗与热管理,确保工作温度在规定范围内(0℃~+70℃)。
  • 输入偏置电流较小但非零,使用高阻抗源时需考虑偏置电流对直流精度的影响。

六、封装与采购建议

LM358AWST 提供 MiniSO-8 封装,利于小型化布局与批量装配。采购时注意供应渠道与批号一致性,并确认器件的工作温度等级与具体应用需求匹配。若应用对噪声、失调或带宽有更严苛要求,可参考 ST 的同系列或替代型号以比对参数。