LM258DGKR 产品概述

一、概述

LM258DGKR 是德州仪器（TI）推出的一款双路运算放大器，针对低功耗与中等带宽应用进行了优化。器件在较宽电源电压范围内工作，适用于单电源和对称电源供电，兼顾低输入偏置与较高共模抑制能力，适合各类传感器前端及通用模拟电路设计。

二、关键参数

• 共模抑制比（CMRR）：80 dB
• 输入噪声密度（eN）：40 nV/√Hz @ 1 kHz
• 最大电源电压（VDD–VSS）：30 V
• 输入失调电压（VOS）：5 mV（典型）
• 放大器数：双路
• 输入偏置电流（IB）：20 nA
• 增益带宽积（GBP）：700 kHz
• 压摆率（SR）：0.3 V/µs（300 V/ms）
• 静态电流（Iq）：350 µA（典型）
• 工作温度：−25 ℃ ~ +85 ℃
• 供电范围（单电源）：3 V ~ 30 V
• 封装：VSSOP-8

三、性能亮点

• 低静态电流（约350 µA）适合电池供电与功耗敏感应用。
• 较低的输入偏置（20 nA）有利于高阻传感器接口、缓冲放大器等。
• 700 kHz 的 GBP 可在中等增益下提供良好带宽，配合 0.3 V/µs 的压摆率适合低频到中频信号处理。
• 80 dB 的 CMRR 与 40 nV/√Hz 的噪声密度，使其在信号链前端表现稳定，兼顾噪声与功耗。

四、典型应用

• 传感器信号调理（温度、压力、光电等）
• 低速数据采集前端、滤波器与缓冲器
• 工业控制与测量电路
• 音频前端与放大（限于低至中音频频段）
• 电池供电便携式设备

五、设计与使用建议

• 电源去耦：建议在靠近封装处放置 0.1 μF 陶瓷与 1–10 μF 旁路电容以保证电源稳定。
• 布局：输入端尽量短线、远离开关噪声源；差分或高阻输入加上防静电保护。
• 增益与带宽：根据 GBP（700 kHz）选择合适的闭环增益，避免在高增益下期待过高带宽或快速瞬态响应。
• 温漂与校准：VOS ≈5 mV，若对精度要求高建议在系统层面做偏置校准或采用外部修正电路。

六、封装与采购

• 封装形式：VSSOP-8，适合节省PCB面积的表贴方案。
• 供应商：德州仪器（TI），型号：LM258DGKR。订购时请确认温度等级与批次，以匹配可靠性要求。

总结：LM258DGKR 在低功耗、低偏置电流与中等带宽之间取得平衡，适合多数通用模拟信号处理场景，尤其适用于对功耗敏感且需一定精度的传感器与前端电路。设计时注意电源去耦与布局以发挥器件最佳性能。