型号:

SMMBT4403LT1G

品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23-3(TO-236)
批次:2年内
包装:编带
重量:0.036g
其他:
-
SMMBT4403LT1G 产品实物图片
SMMBT4403LT1G 一小时发货
描述:三极管(BJT) 300mW 40V 600mA PNP SOT-23
库存数量
库存:
3035
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.258
200+
0.166
1500+
0.145
3000+
0.128
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)600mA
集射极击穿电压(Vceo)40V
功率(Pd)225mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)30@0.1mA,1.0V
特征频率(fT)200MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)400mV@150mA,15mA
工作温度-55℃~+150℃

SMMBT4403LT1G 产品概述

SMMBT4403LT1G 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的表面贴装型 PNP 型晶体管,其设计旨在满足各种电子应用的需求,尤其适用于低功耗和小型化的电子设备。该器件采用 SOT-23-3 (TO-236) 封装,适合于自动贴装和高速生产线。它是一款具有良好性能的三极管,广泛应用于开关电源、线性调节器、信号放大等领域。

基本参数

  1. 晶体管类型: PNP

    • PNP 型晶体管使得 SMMBT4403LT1G 在电路中表现出良好的电流控制特性,能够实现低于基极电压的高效开关和放大功能。
  2. 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600mA

    • 该器件设计有较大的集电极电流输出能力,适合应对多数中小功率的负载要求。
  3. 电压 - 集射极击穿(最大值): 40V

    • 其最大集射极击穿电压为 40V,确保器件在一定电压条件下稳定工作,适合于多种电子设备应用。
  4. Vce 饱和压降(最大值): 750mV @ 50mA,500mA

    • 在不同的工作状态下,SMMBT4403LT1G 能够保持较低的饱和压降,从而提高效率,降低发热。
  5. DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 @ 150mA,2V

    • 该器件的 DC 电流增益表明在给定条件下能够提供足够的增益,适合用于信号放大电路。
  6. 功率 - 最大值: 300mW

    • 最大功率输出为 300mW,使得该晶体管在相对较小的功率需求情况下也能稳健工作。
  7. 频率 - 跃迁: 200MHz

    • 高达 200MHz 的频率响应使得 SMMBT4403LT1G 适合用在需要快速切换的应用场合,例如高频信号放大和开关电路。
  8. 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)

    • 其广泛的工作温度范围让此晶体管能够在极端环境下稳定运行,适用于汽车电子、军事和航空航天等领域。

封装与安装

  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装/外壳: SOT-23-3(TO-236)

表面贴装则意味着 SMMBT4403LT1G 拥有更高的能效和更小的电路占用空间,便于集成于现代小型电子产品。

应用场景

SMMBT4403LT1G 可广泛应用于以下领域:

  1. 开关电源: 利用其良好的电流和电压控制特性,在开关电源电路中实现安全高效的能源管理。

  2. 信号放大: 凭借其较高的增益表现和频率特性,可以在音频、视频及射频信号放大器中使用。

  3. 线性稳压器: 适合用于线性电源稳压器中,提供稳定的输出以满足对电源质量要求较高的应用。

  4. 汽车电子: 可用作汽车控制信号处理和电源管理,以应对复杂的车辆电子系统。

  5. 便携式设备: 由于其小型化封装和低功耗特性,使其非常适合用于手机、平板电脑等便携式电子设备中。

结论

SMMBT4403LT1G 作为一款高性能的 PNP 型三极管,凭借其综合电气性能和卓越的环境适应性,在多个电子产品中具有广泛的适应性。无论是工业控制、消费电子还是汽车应用,此器件都能够满足设计师对性能与可靠性的多重要求。其小巧的封装和高效能为现代电子设计提供了便捷的解决方案,是开发稳定高效电子设备的重要元件之一。