型号:

SMMBT3904WT1G

品牌:ON(安森美)
封装:SC-70-3(SOT323)
批次:-
包装:编带
重量:0.031g
其他:
-
SMMBT3904WT1G 产品实物图片
SMMBT3904WT1G 一小时发货
描述:三极管(BJT) 150mW 40V 200mA NPN SOT-323-3
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最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.455
3000+
0.425
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)200mA
集射极击穿电压(Vceo)40V
功率(Pd)150mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)40@0.1mA,1.0V
特征频率(fT)300MHz
集电极截止电流(Icbo)50nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)200mV@10mA,1.0mA
工作温度-55℃~+150℃

SMMBT3904WT1G 产品概述

一、产品背景

SMMBT3904WT1G 是由安森美(ON Semiconductor)生产的一款高性能 NPN 型晶体管。该晶体管设计用于广泛的电子和电气应用,以其出色的性能和可靠性,成为许多设计师和工程师的首选器件。该型号特别适合用于信号放大、小信号开关及线性应用等多个领域。

二、基本参数

SMMBT3904WT1G 的主要电气参数包括:

  • 集电极电流 (Ic):最大值为 200mA,使其能够满足较大电流需求的应用。
  • 集射极击穿电压 (Vce):最大值为 40V,确保了在较高电压条件下的稳定性。
  • 饱和压降 (Vce(sat)):在不同的基极电流 (Ib) 和集电极电流 (Ic) 条件下, Vce 饱和压降的最大值为 300mV(在 5mA 和 50mA 时测得),这表明其在开关应用中的效率。
  • DC 电流增益 (hFE):在 10mA 直流电流下的最小增益为 100,确保了其具有良好的放大特性。
  • 功率耗散能力:最大功率为 150mW,适合于低功耗应用场景。
  • 频率特性:跃迁频率高达 300MHz,使得该晶体管在高速信号处理中的表现卓越。

三、工作环境与安装特点

SMMBT3904WT1G 的工作温度范围广泛,从 -55°C 到 150°C(TJ),这为设备在各种极端环境下的可靠性提供了保障。它采用了表面贴装型安装方式,封装类型为 SC-70,SOT-323,这种紧凑型封装兼具低空间占用和良好散热性能。SC-70 封装特别适用于空间受限的设计,促进了小型化电子产品的开发。

四、适用领域与应用

凭借良好的电气特性,SMMBT3904WT1G 广泛应用于以下领域:

  1. 消费电子:如手机、平板电脑及个人便携式设备,用于信号放大和开关控制。
  2. 工业控制:在传感器、开关电源及数据采集系统中用作信号放大和线性控制。
  3. 汽车电子:污染物检测、车载信息显示及状态指示等。
  4. 通信设备:射频和微波电路的放大应用。
  5. 电源管理:作为开关元件和控制信号处理。

五、总结

SMMBT3904WT1G 是一款高性能、可靠的 NPN 三极管,其丰富的电气特性和广泛的应用场景使其成为现代电子设计中的重要元器件。无论是在工业还是消费市场,它都以其出色的性能满足了不同客户的需求。通过其高频率、高增益和较大电流处理能力,设计师可以在多个应用领域中实现更高的设计灵活性及高效性。

考虑到其出色的线性属性和优越的工作性能,SMMBT3904WT1G 是开发小型、高效能电路的理想选择,为众多电子产品的核心设计提供了强大的支持。