型号:

SMMBT2222ALT1G

品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23-3(TO-236)
批次:2年内
包装:编带
重量:1g
其他:
-
SMMBT2222ALT1G 产品实物图片
SMMBT2222ALT1G 一小时发货
描述:三极管(BJT) 225mW 40V 600mA NPN SOT-23
库存数量
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.329
200+
0.211
1500+
0.184
3000+
0.163
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)600mA
集射极击穿电压(Vceo)40V
功率(Pd)225mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)35@0.1mA,10V
特征频率(fT)300MHz
集电极截止电流(Icbo)10uA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)300mV@500mA,50mA
工作温度-55℃~+150℃

SMMBT2222ALT1G 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的高性能NPN晶体管,广泛应用于各种低功耗和高频率的电子电路中。该元器件集合了卓越的电气特性与高可靠性,非常适合用于信号放大、开关操作和其他通用电子应用。

产品概述

基础参数

  • 晶体管类型:NPN
  • 集电极电流 (Ic):最大值为 600mA,使其能够处理相对较大的电流,适合多种负载情况。
  • 集射极击穿电压 (Vce(max)):最大值为 40V,确保其在电路设计中具有很高的电压容忍能力。
  • 饱和压降 (Vce(sat)):在 50mA 和 500mA 时,最大值为 1V。这一特性使得该晶体管在开关电路中的效率得到保证,降低了功耗。
  • 集电极截止电流 (ICBO):在最大值 10nA 的情况下表明其静态性能优越,适用于低泄漏电流要求的精确电路。
  • 直流电流增益 (hFE):在 150mA 和 10V 时最小值为 100,说明其在高电流增益场景下的良好性能,非常适合用于放大应用。

电气特性

  • 功率最大值:225mW,这一点使得该器件在常见的信号处理应用中足够强大并具有良好的功率处理能力。
  • 频率特性:跃迁频率达到 300MHz,体现了其在高频应用中的适用性,例如无线通信和射频电路。
  • 工作温度范围:-55°C 到 150°C,使得 SMMBT2222ALT1G 在极端环境下依然能够稳定运行,适用于航空航天、汽车及工业控制等要求高的应用场合。

封装信息

SMMBT2222ALT1G 采用 SOT-23-3(TO-236)封装,作为表面贴装型元器件,其小巧的设计能够降低PCB的占用空间,适应高密度电路设计的需求。这种封装方式可有效提高生产效率,适合自动化生产线,并使得电子设备更加轻便。

应用领域

SMMBT2222ALT1G 的广泛应用包括:

  1. 开关电路:由于其良好的饱和压降特性,非常适合用作电源开关和负载驱动器。

  2. 信号放大:凭借其高电流增益,常用于音频放大器和高频放大器,适用于各种音频和无线电频率产品。

  3. 高频应用:其300MHz的跃迁频率使其在高频通信及数据传输电路中表现出色。

  4. 消费电子:如电视机、音响、手机等设备的开关和放大功能,SMMBT2222ALT1G 也能为其提供支持。

  5. 汽车电子:其宽温工作范围使其能够在汽车环境中稳定工作,广泛用于电子控制单元(ECU)等模块。

总结

SMMBT2222ALT1G 是一款功能全面、性能优越的 NPN 晶体管,具备良好的电气特性和适用广泛的应用场景。凭借其高集电极电流、低功耗特性、出色的增益和宽广的工作温度范围,使其成为电子设计工程师的理想选择。在当前电子技术迅速发展的背景下,该器件的应用前景广阔,是所有需要高效开关和放大解决方案的电子设备设计中不可或缺的组件之一。