SMBJ58A-TR 产品概述

一、简介

SMBJ58A-TR 是意法半导体（ST）面向静电放电（ESD）与浪涌保护的单向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用 SMB（DO-214AA）封装。器件设计用于在瞬态过压发生时迅速钳位，保护下游电路免受高能脉冲损坏，适用于电源线、信号线和工业设备的浪涌防护。

二、主要电气参数

• 钳位电压（VCL）：121 V（典型）
• 反向稳态电压 Vrwm：58 V
• 击穿电压（Vbr）：64.4 V
• 峰值脉冲功率 Ppp：4 kW @ 8/20 µs（IEC 61000-4-5 测试条件）
• 峰值脉冲电流 Ipp：6.7 A @ 8/20 µs
• 反向漏电流 Ir：200 nA（在 Vrwm 条件下）
• 极性：单向（用于直流或有明确极性的线路）
• 工作温度范围：-55 ℃ ~ +150 ℃
• 封装：SMB（DO-214AA）
• 防护等级/认证：符合 IEC 61000-4-5（浪涌）与 IEC 61000-4-2（ESD）测试要求

三、主要特性与优势

• 高能量吸收能力：在 8/20 µs 波形下可承受 4 kW 的峰值脉冲功率，适合中等能量浪涌防护。
• 低反向漏电：200 nA 的低漏电流有利于对静态功耗敏感的系统。
• 宽工作温度：-55 ℃ 至 +150 ℃，适应工业级温度环境。
• 单向结构：对直流电源及有方向性保护场合更为合适。
• SMB 封装：便于自动化贴装与良好热散，适合 PCB 批量生产。

四、典型应用场景

• 工业电源保护、DC 供电总线防浪涌
• 通信设备与基站防雷浪涌吸收（配合合适的滤波/保护网络）
• 计量与控制终端、POE 辅助保护（根据电压等级选型）
• 串口、CAN、传感器电源线的过压、ESD 防护

五、布局与安装建议

• 将 TVS 器件尽量靠近受保护端口或器件放置，缩短走线以降低感性与等效串联阻抗（ESL/ESR）。
• 负极端应尽量直接连接到接地平面，使用多点焊盘或大面积铜箔提高散热与回流能力。
• 在高能量应用中，注意周边走线与元件的间距与绝缘，避免旁路放电路径。
• 推荐采用厂家给出的 SMB 推荐封装与焊盘尺寸并遵循回流焊工艺规范，避免过热或冷焊。

六、选型与使用注意

• 确认系统连续工作电压低于 Vrwm（58 V），并且器件钳位电压（121 V）低于被保护器件的最大承受电压。
• 若用于交流或无极性线路，应选用双向 TVS 器件。
• 对于更高能量或更低钳位要求的场合，可考虑并联多个器件或使用更大功率等级的 TVS，但应注意热与均流问题。
• 本型号未声明汽车 AEC-Q 资格，如用于汽车应用请确认额外的认证与老化试验要求。

七、可靠性与合规

SMBJ58A-TR 针对 IEC 61000-4-2（ESD）与 IEC 61000-4-5（浪涌）有良好防护性能，并在工业温度范围内长期工作。建议在设计验证阶段进行系统级的浪涌与静电免疫测试，确认实际 PCB 布局与连接方式下的防护效果。

总结：SMBJ58A-TR 是一款面向中等能量浪涌与静电防护的单向 TVS 器件，适用于要求低漏电、宽温度、高可靠性的工业与通信类电路保护。选择时请结合系统最大工作电压、被保护器件耐压与能量预算进行匹配。