LM5106SDX/NOPB 产品概述

一、概述

LM5106SDX/NOPB 是德州仪器（TI）出品的一款双通道半桥栅极驱动芯片，面向驱动 MOSFET 的高效率功率变换应用。该器件集成欠压保护（UVP）、低静态电流和较强的瞬态驱动能力，工作电压范围为 8V 至 14V，采用 WSON-10-EP（4×4）无铅封装，适合空间受限的电源和驱动板设计。

二、主要特性（基于给定参数）

• 欠压保护（UVP），可在电源不足时保护下游 MOSFET 与负载。
• 输入阈值：高电平 VIH = 1.8V ~ 2.2V，低电平 VIL = 0.8V ~ 1.8V，兼容较宽的逻辑电平输入。
• 半桥驱动结构，双通道（2 通道），专为上/下 MOSFET 配对驱动设计。
• 驱动能力：拉电流（IOH）≈1.2A，灌电流（IOL）≈1.8A，适合快速切换中小功率 MOSFET。
• 开关性能：上升时间 tr ≈15ns，下降时间 tf ≈10ns，tpHL（传播延迟）≈32ns。
• 低静态电流 Iq ≈340μA，有助于降低空载损耗与待机功耗。
• 工作温度范围 -40℃～+125℃，满足工业级环境要求。
• 封装：WSON-10-EP（4×4），带散热焊盘，便于 PCB 热管理与可靠焊接。

三、功能与性能解读

该芯片的源/漏电流参数表明在开关瞬态时能提供较大的驱动电流，从而缩短 MOSFET 的切换时间，降低开关损耗（配合合理的门极电阻）。欠压保护功能可避免在供电电压低、驱动不足时误导通 MOSFET，减少并联器件损坏风险。较窄的输入阈范围使其能兼容 MCU 或逻辑电平直驱，但在接入不同电平控制器时仍需确认匹配。

四、典型应用

• DC-DC 变换器（同步降压、升降压拓扑）
• 电机驱动控制（小功率驱动场合）
• 开关电源与隔离型电源模块
• 车载电子与工业电源系统（工作温度与防护特性符合要求）

五、封装与热设计建议

WSON-10-EP（4×4）带底部散热焊盘（EP），建议在 PCB 设计时使用多通孔化散热或铜填充热区以降低结壳温度。布局时将驱动器附近的去耦电容放置在 VCC 与 GND 引脚旁，缩短回流路径；门极走线尽量短且宽，以减少寄生电感，必要时在门极串联合理阻值以抑制振铃。

六、设计注意事项与推荐

• 确保 VCC（或驱动供电）稳定在 8V~14V 范围内，并用低 ESR 去耦电容抑制瞬态电流。
• 控制信号电平需满足 VIH/VIL 范围；若 MCU 输出低于 1.8V，应加电平移位或缓冲。
• 根据驱动电流与 MOSFET 栅电容选择合适的门极电阻，平衡开关损耗与 EMI。
• 利用器件的欠压保护功能设计上电序列，避免在欠压状态下产生不确定行为。
• 在高频或高功率应用中，注意热耗散并进行实际测温验证，必要时采用散热片或增强 PCB 散热。

总结：LM5106SDX/NOPB 以其双通道半桥驱动、高峰值驱动电流、快速开关响应与欠压保护特性，适用于多类中小功率电源与电机驱动系统。通过合理的布局、去耦与选型，可在可靠性与效率之间取得良好平衡。