BLM18AG331SN1D 产品概述 — muRata（村田）

一、产品简介

BLM18AG331SN1D 为村田（muRata）系列0603（公制1608）封装磁珠，用于电磁干扰（EMI）抑制与电源/信号滤波。该型号在100MHz 时标称阻抗为330Ω，为单通道器件，适合对高速信号线和电源线的高频噪声抑制。

二、主要性能参数

• 品牌：muRata（村田）
• 型号：BLM18AG331SN1D
• 封装：0603（1608公制）
• 阻抗：330Ω @ 100MHz（±25%）
• 直流电阻（DCR）：约300 mΩ
• 额定电流：600 mA（最大连续通过电流）
• 工作温度：-55°C ~ +125°C
• 通道数：1（单通道磁珠）

三、特点与优势

• 高频阻尼特性良好：在VHF/UHF频段呈显著阻抗，可将高频噪声转化为热能，抑制辐射与传导干扰。
• 小型化封装：0603尺寸便于在空间受限的PCB上布局，适合移动设备与EMS模块。
• 容差说明：阻抗公差±25%，在设计时须考虑最差/最好情况下的滤波效果。
• 商用温度范围宽，适合一般工业与消费电子环境。

四、典型应用

• 手机、平板与便携式终端的电源噪声抑制与射频干扰控制。
• 摄像头模组、Wi‑Fi/蓝牙等无线射频模块的输入/输出滤波。
• MCU、PLL、ADC/DAC 等敏感信号前的去耦与干扰抑制。
• 电源轨（尤其是3.3V、1.8V等中低电压轨）的高频滤波。

五、选型与使用建议

• 电流与压降：DCR≈0.3Ω，满额定电流600 mA时直流压降约0.18 V，设计电源轨时需注意电压损耗与发热。
• 阻抗容差：由于±25%容差，关键设计可选用阻抗裕量更大的型号或并联/串联组合以保证最低阻尼需求。
• 布局：尽量靠近噪声源（如LDO输出、IC电源引脚）串联放置，串联路径尽量短且避免形成寄生环路；若用于多层板，靠近过孔或地平面布置有利于抑制共模/差模干扰。
• 热与可靠性：高频损耗会产生热量，连续高电流工况下需评估温升并留有安全余量。
• 返修与焊接：兼容无铅回流焊，遵循厂商推荐的回流温度曲线与焊接工艺。

六、封装与可靠性说明

0603小尺寸利于高密度贴装，常见可靠性试验（热循环、湿热、机械振动与冲击）下表现良好，适用于消费与部分工业级应用。对于极端环境或长寿命项目，建议参考村田具体数据手册并进行样件评估。

总结：BLM18AG331SN1D 是一款适用于中高频段噪声抑制、体积小巧且通用性强的磁珠。设计时应综合考虑阻抗容差、直流压降与热管理，以确保在目标应用中达到预期的EMI抑制效果。若需更详细的频率特性曲线和可靠性数据，请参阅村田官方数据手册或向供应商索取样品测试。