L6384ED 栅极驱动器（ST — SOP-8）产品概述

一、产品简介

L6384ED 为意法半导体（ST）面向半桥拓扑的双通道栅极驱动IC，适用于驱动IGBT与功率MOSFET。器件集成欠压保护（UVP）与过压保护（OVP），工作电压范围为 11.5V ～ 14.6V，工作温度范围 -45℃ ～ +125℃，封装为 SOP-8，适合对体积、成本敏感的功率电子应用。

二、主要特性与电气性能

• 驱动通道：2 通道，半桥配置
• 驱动能力：峰值灌/拉电流分别为 650 mA / 400 mA（可满足常见IGBT/MOSFET的快速开关需求）
• 时序性能：低→高传播延迟 tpLH = 200 ns；高→低传播延迟 tpHL = 250 ns
• 开关特性：上升时间 tr = 50 ns；下降时间 tf = 30 ns（典型值，受外部栅阻与负载影响较大）
• 静态功耗：静态电流 Iq = 380 μA（低静态损耗，有利于待机效率）
• 保护功能：欠压保护与过压保护，提升系统可靠性

三、典型应用场景

• 逆变器与电机驱动半桥单元
• 开关电源与DC-DC转换器的功率开关驱动
• UPS、电源管理及工业驱动器中需要双通道半桥驱动的场合

四、设计与布局建议

• 电源去耦：VCC 与 GND 之间放置高频去耦电容（如 0.1 μF）并靠近芯片电源脚；并联一个 10 μF 以上的旁路电容以稳定低频响应。
• 引导电容：上桥驱动若采用自举电路，建议自举电容及时更新，容量与开关频率、栅电荷相匹配。
• 栅阻匹配：根据被驱动器件的栅电荷与期望的开关斜率设置外接栅阻，平衡开关损耗与电磁干扰（EMI）。对于较大栅电荷器件可适当减小栅阻以利用 L6384ED 的峰值驱动能力。
• 布局要点：驱动输出到功率器件的走线尽量短，功率地与信号地分离并在近芯片处汇流，避免高电流脉冲经由控制地回流导致干扰。
• 热管理：虽然静态功耗较低，但在高频大电流切换下器件功耗会上升，注意器件周边铜箔散热与合理的PCB散热策略。

五、选型与注意事项

• 确认 VCC 工作电压在 11.5V–14.6V 范围内，避免误触发 UVP/OVP。
• 根据驱动器件的总栅电荷（Qg）和开关频率计算平均功耗，验证芯片在目标工作点下的可靠性。
• 传播延迟与上/下沿不对称（tpLH ≠ tpHL）会影响死区时间与交叉导通保护，系统设计时需在逻辑层面或驱动级设定合适死区。
• 若用于高侧驱动并依赖自举供电，注意低导通占空比时自举电容能否保持足够供电电压。

总结：L6384ED 以较高的瞬态驱动能力、内置保护与宽温度范围，适合工业级半桥驱动场合。合理的电源与布局设计、匹配的栅阻及死区策略能充分发挥其性能并保证系统可靠性。