IRF2807STRLPBF

产品概述: IRF2807STRLPBF

IRF2807STRLPBF 是一款高性能N通道MOSFET，由著名半导体供应商英飞凌（Infineon）生产。该器件不但以其卓越的电气性能在各种高功率应用中脱颖而出，还因其温度适应性和可集成性而广受欢迎。本文将对这一 MOSFET 的关键参数及其应用场景进行详尽介绍。

主要参数

1. FET 类型: N 通道 MOSFET——适合高效电流控制和开关应用。
2. 漏源电压 (Vdss): 75 V——表明在正常工作时，该器件可承受的最高漏源电压，这使其在高电压应用中表现出色。
3. 连续漏极电流 (Id): 82 A（在Tc = 25°C时）——该参数指示器件在特定条件下可以安全传输的电流值。
4. 导通电阻 (Rds On): 最大值 13 毫欧 @ 43A，10V——低导通电阻有效降低了功耗和热量，是进行高电流传输时优化效率的关键。
5. 阈值电压 (Vgs(th)): 最大值 4 V @ 250µA——该参数说明MOSFET开启所需的最低栅极电压，影响器件的开关速度和能耗。
6. 栅极电荷 (Qg): 最大值 160nC @ 10V——说明在开关操作时所需的栅极电荷，较低的Qg值意味着开关速度更快，适合高频应用。
7. 栅源电压 (Vgs): 最大值 ±20V，确保无论正向还是反向都能够安全运行。
8. 输入电容 (Ciss): 最大值 3820pF @ 25V——指示输入电容值可在高频切换应用中降低信号延迟和提升性能。
9. 功率耗散: 最大值 230 W（在Tc条件下）——高功率承受能力确保该 MOSFET 适合重负载电源照明、马达驱动和其他高功率应用。
10. 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）——宽广的工作温度范围确保器件在严酷环境中仍能可靠工作。
11. 安装类型: 表面贴装型（SMD），使得该器件可以更加紧凑地集成于各种PCB设计中。
12. 封装: D2PAK（TO-263-3 和 D²Pak）——便于放置及散热设计，同时提供优异的物理保护。

典型应用

IRF2807STRLPBF 非常适合广泛的应用，包括但不限于：

• 电源管理: 用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器等电源管理方案，能够有效提高能效。
• 马达驱动: 在电机控制电路中，利用其高电流承载能力和快速开关特性，提升电机的响应速度与效率。
• 网络和电信设备: 适用于需要高效电源转换的基础设施，如路由器、交换机等。
• 汽车电子: 在汽车系统中用于电机控制、灯光点亮和其他电源管理功能。
• 高功率LED驱动: 由于其优良的热性能，适合用于驱动高功率LED，实现精确控制和高效照明。

总结

IRF2807STRLPBF 以其优异的电气性能、宽广的工作温度范围及出众的功率处理能力，成为现代高效能电子应用中不可或缺的组件。无论是在工业控制还是消费电子产品中，其灵活性与高效性使其能够满足多种应用需求。选择 IRF2807STRLPBF，将为您的设计提供稳固可靠的支持。