SM15T36CA 产品概述

一、概述

SM15T36CA 是意法半导体（ST）面向静电放电（ESD）和浪涌（Surge）防护的双向瞬态抑制二极管（TVS），采用 SMC（DO-214AB）封装。器件专为对线路、接口及电源轨承受高能脉冲（如雷击感应浪涌、开关突变及人体模型静电放电）提供可靠保护而设计，工作温度范围宽（-55℃ 至 +150℃），适合工业级和苛刻环境应用。

二、主要参数

• 类型：双向 TVS（瞬态电压抑制器）
• 钳位电压（Vc）：64.3 V（在 8/20μs 峰值脉冲条件下）
• 峰值脉冲功率（Ppp）：10 kW @ 8/20μs
• 峰值脉冲电流（Ipp）：64.3 A @ 8/20μs
• 反向工作电压 Vrwm：34.2 V
• 击穿电压 Vbr：37.8 V
• 反向静态电流 Ir：200 nA
• 极性：双向（对正负极性瞬态均能吸收）
• 封装：SMC (DO-214AB)
• 防护等级/标准：满足 IEC 61000-4-5（浪涌）与 IEC 61000-4-2（ESD）测试要求
• 工作温度：-55℃ ~ +150℃

三、典型应用

• 直流/交流电源输入保护（可用于中小功率电源总线）
• 通信接口和网口浪涌保护（如 PoE、工业以太网端口）
• 工业控制设备、楼宇自控和仪器仪表的输入端保护
• 需要双向保护的线路（例如交流信号线、差分对的公共模式浪涌保护）

四、设计与 PCB 布局建议

• 贴片安装时将 TVS 放置于被保护器件附近，尽量缩短导线长度以降低寄生电感；入口端至 TVS 的走线应尽可能直且宽。
• SMC 封装具备较好散热能力，但在连续或高能脉冲条件下仍建议加大焊盘铜箔面积并配合过孔导入多层接地平面以增强热耗散。
• 对于高能脉冲应用，可在 TVS 两侧增加串联阻抗或阻尼元件来抑制振铃；但要保证普通工作条件下不会影响信号或功率传输。
• 布局时确保良好的返回路径（地线）和最小环路面积，以提高抑制性能并降低对附近敏感电路的干扰。

五、器件选型与使用注意

• 选择 TVS 时，工作电压 Vrwm 应高于正常线路电压但低于被保护器件可承受的击穿阈值；SM15T36CA 的 Vrwm=34.2V 适用于中等电压直流系统。
• 双向器件不区分极性，适合交流或两极性瞬态场合，但会比同等级单向器件在某些参数上有差异（如反向静态电流）。
• 注意脉冲规范：提供的 10 kW/8/20μs 代表器件短时能量承受能力，频繁的高能脉冲需评估累计发热和可靠性；在高环境温度下参考降额使用。
• 若需要汽车级认证或特殊环境认证，需核实器件是否满足相应规范（本型号满足 IEC 浪涌与 ESD 标准，但并非自动等同于汽车 AEC 认证）。

六、总结

SM15T36CA 以其大功率吸收能力（10 kW@8/20μs）、高钳位电压抗冲击能力及宽温度适应性，适合对中等电压线路进行可靠的瞬态浪涌和静电防护。结合合理的 PCB 布局与热管理，可在工业、通讯与电源入口等应用场景中为敏感电子元件提供有效保护。若需进一步的电气曲线、封装尺寸或应用参考，请参考 ST 官方数据手册以获得完整规范和波形测试条件。