SM15T24A 产品概述

一、概述

SM15T24A 为 ST（意法半导体）出品的单向 TVS（二极管）瞬态抑制器，封装为 SMC，用于对抗静电放电（ESD）与浪涌（EFT/Surge）瞬态。器件设计适配 24V 级别电源与信号线的瞬态保护，典型应用包括工业自动化电源线、通信接口与电源前端防护等。

二、主要参数一览

• 类型：单向 TVS（SM15T24A）
• 钳位电压（Vc）：42.8 V（在指定脉冲条件下）
• 峰值脉冲功率（Ppp）：1.5 kW（8/20 μs 波形）
• 峰值脉冲电流（Ipp）：234 A @ 8/20 μs
• 反向截止电压（Vrwm）：25.2 V
• 击穿电压（Vbr）：22.8 V（注：请见下文说明）
• 反向漏电流（Ir）：200 nA
• 工作温度范围：-55 ℃ ～ +150 ℃
• 防护等级：符合 IEC 61000-4-2（ESD）和 IEC 61000-4-4（EFT）

注：以上为给定基础参数，建议在设计前参考原厂完整数据手册核对测试条件与曲线。

三、电气特性与使用要点

该器件在遭受瞬态高压时进入导通，将瞬时能量钳位到约 42.8 V，从而保护下游元件。单向器件在正常工作时以反向截止（Vrwm）承受系统电压，发生正向（或反向）大电流仅在瞬态事件中。漏电流极小（200 nA），适合对静态功耗敏感的场合。工作温度可覆盖严苛工业环境，但 1.5 kW 为脉冲能量指标，不可作为连续功率使用。

提示：给定的“击穿电压 22.8 V”与“反向截止电压 25.2 V”在常规定义下应为 Vrwm < Vbr，即反向截止应低于击穿电压；当前两值呈现反向关系，建议确认数值或测试条件（如 Ibr 测试电流）以避免设计错误。

四、封装与布板建议

SMC 封装便于吸收较大脉冲能量，散热能力较表面贴装小封装优越。PCB 布局建议：TVS 尽量靠近受保护接口或连接器放置，电源线到 TVS 的走线尽量短且宽以减小寄生电感与阻抗；地线采用短而粗的回流路径，必要时使用热铜层或散热焊盘以提高脉冲散热能力。

五、典型应用与选型建议

适用于 24V 电源轨、工业 I/O、模块化电源前端以及需要符合 IEC ESD/EFT 要求的设备防护。选型时关注：钳位电压对应被保护器件能承受的最大电压、峰值脉冲电流与系统可能遇到的浪涌级别、工作电压与漏电容/漏电流对电路的影响。如需在高能量或更严苛环境下使用，考虑并联或选择更高 Ppp 等级器件，并确认是否符合必要的汽车或特殊行业认证。

六、总结

SM15T24A 为一款适合 24V 级瞬态保护的单向 TVS，具备高脉冲吸收能力与低漏电流，封装适中、适用于工业级保护场景。使用前请核对原厂数据手册中的详细测试条件、典型波形与机械尺寸，并确认上述 Vrwm 与 Vbr 的数值关系以保证系统设计安全可靠。若需要，我可以帮您查找并对比原厂数据表中的完整参数与典型特性曲线。