SM15T18A（ST）—— SMC 封装单向 TVS 瞬态浪涌保护器 概述

一、产品简介

SM15T18A 是意法半导体（ST）推出的一款单向 TVS（二极管型瞬态电压抑制器），采用 SMC（常见为 DO‑214AB）封装，针对静电放电（ESD）和电源/信号线浪涌提供高速、大能量吸收保护。器件工作温度范围宽（-55℃ ~ +150℃），适合工业级环境使用。

二、主要性能参数

• 钳位电压（Vc）：32.5 V（典型）
• 反向击穿/反向截止电压（Vbr / Vrwm）：18 V（Vrwm = 18 V）
• 峰值脉冲功率：1.5 kW @ 10/1000 μs（单次能量吸收能力）
• 峰值脉冲电流：746 A @ 10/1000 μs；308 A @ 8/20 μs
• 反向漏电流（Ir）：200 nA（常温典型，保证对电路影响小）
• 极性：单向（适用于直流电源线或需要极性保护的场合）
• 抗扰等级：符合 IEC 61000‑4‑2（ESD）和 IEC 61000‑4‑4（EFT）要求

三、典型应用场景

• 工业电源总线及开关电源输入的浪涌保护（例如以 12 V / 24 V 系统为主的场合，Vrwm=18 V 适配典型车载/工业电源边界）
• 通信设备、电源接口与接口板卡的瞬态冲击抑制
• 需要低漏电、快速响应且能吸收大能量脉冲的外部接口保护

四、设计与安装要点

• 放置位置：尽量靠近被保护的端口或电源入口，缩短从浪涌点到 TVS 的走线长度以减少寄生感抗。
• 接地管理：保证 TVS 的阴极良好接地，使用宽铜箔和多孔过孔导热回流到散热层，提升能量分散能力。
• 焊接与热管理：SMC 封装适合波峰/回流焊，但在高能量场景下需提供充足铜面积以降低结温上升，避免长时间高功耗下热失效。
• 布局注意：在高速信号或敏感模拟电路附近布置时，注意抑制环路面积并加入滤波元件以减少回路耦合。

五、选型建议

• 选择 Vrwm 时应略高于电路正常工作电压，避免误导通；Vrwm=18 V 适合 12 V 系统及需要在高于 12 V 而低于 18 V 的稳压区间工作的场合。
• 若系统可能遭受短脉冲（8/20 μs）或长能量脉冲（10/1000 μs），参考器件在不同波形下的 Ipp 与功率指标，确保峰值电流与能量吸收能力满足系统最坏工况。
• 对于对漏电敏感的低功耗设备，200 nA 的典型漏电电流有利于减少静态损耗。

六、合规性与可靠性

SM15T18A 针对 ESD（IEC 61000‑4‑2）和 EFT（IEC 61000‑4‑4）制定测试要求，能满足工业级抗扰性能需求。宽温工作范围（-55℃ ~ +150℃）和高脉冲能量吸收特性，使其适合长期稳定运行于恶劣环境。具体的封装尺寸、热阻和典型 IV/波形曲线建议参照 ST 官方数据手册，以便完成热设计与可靠性评估。

备注：具体电气曲线、最大允许功耗随波形与脉冲重复率变化较大，设计前请查阅 ST 官方数据手册与样片验证。