SM15T100A 产品概述

一、概述

SM15T100A 是意法半导体（ST）推出的一款单向瞬态电压抑制二极管（TVS），封装为通用的 SMC（DO‑214AB）。器件专为对抗浪涌和静电放电（ESD）干扰设计，符合 IEC 61000-4-5（浪涌）和 IEC 61000-4-2（ESD）防护规范，适用于需要高能量吸收和快速响应的直流电源轨和信号线上。

二、主要参数

• 极性：单向
• 反向截止电压 Vrwm：85.5 V
• 击穿电压（典型）：100 V
• 钳位电压 Vc（Ipp）：178 V @ Ipp 56 A（8/20 μs）
• 峰值脉冲电流 Ipp：56 A @ 8/20 μs
• 峰值脉冲功率 Ppp：10 kW @ 8/20 μs
• 反向漏电流 Ir：200 nA（静态小电流）
• 工作温度范围：-55 ℃ ～ +150 ℃

三、性能特点

• 高能量吸收能力：支持 8/20 μs 浪涌波形下 56 A 峰值电流和约 10 kW 峰值功率。
• 快速钳位：在浪涌发生时能迅速钳位至 178 V 附近，保护下游器件免受过压损害。
• 低漏电：200 nA 的低反向电流有利于对电源效率和待机功耗的控制。
• 工业级温度范围与可靠性，适合恶劣环境应用。

四、典型应用

• 中高压直流电源轨（如 48 V/60 V 系统的前端保护）
• 通信设备、电源模块与逆变器的浪涌保护
• 工业自动化与楼宇控制中易受雷击或开关过电压影响的线路
• 接口保护（在满足电压等级情况下）与系统级浪涌防护

五、封装与布板建议

• SMC（DO‑214AB）封装便于通用 SMT 工艺装配，散热能力良好。
• 布局上应尽量缩短 TVS 与受保护节点之间的走线，减小串联电感以提高钳位效率。
• 为提升热散能力和重复冲击可靠性，建议在器件底部和邻近区域使用较大铜箔并通过过孔导热至背面或地平面。
• 在多器件并联或分布保护时，注意均流与热管理。

六、选用与可靠性注意事项

• 峰值能力基于 8/20 μs 波形，实际系统中若波形不同需重新评估能量匹配与热应力。
• 在高温条件下器件承受的脉冲能量与寿命会下降，应按经验或厂商曲线进行适当降额。
• 选型时确认 Vrwm 与被保护电路的最大工作电压匹配，避免在正常工作状态下进入击穿区。
• 在生产与维护过程中遵循常规焊接与静电防护规范，确保焊接温度曲线与封装兼容。

如需器件的详细曲线图、封装尺寸或可靠性测试数据，可参考 ST 官方数据手册或联系供应商获取原始资料。