MBRS190T3G 产品概述

一、主要参数概览

• 器件型号：MBRS190T3G（肖特基整流二极管）
• 品牌：ON Semiconductor（安森美）
• 封装：SMB（DO-214AA）
• 正向压降（Vf）：约 0.75 V @ 1 A
• 额定整流电流：1 A（平均正向电流）
• 最大直流反向耐压（Vr）：90 V
• 反向电流（Ir）：500 μA @ 90 V（典型测试条件）

以上为典型关键参数，更多极限值、浪涌特性和温度相关数据请参见原厂数据手册。

二、产品特点

• 低正向压降：肖特基结构带来较低的正向压降，降低整流损耗，适合需要提高效率的低压/中电流应用。
• 中等反向耐压：90 V 的反向耐压适合多数汽车电子、工业电源、DC-DC 变换器等场景。
• SMB 封装：DO-214AA（SMB）封装在热性能与占板面积之间取得平衡，便于手工焊接与标准化自动化贴装。
• 快速恢复：肖特基二极管本身没有正向恢复时间，适合高频整流与自由轮回路使用。
• 品牌与可靠性：ON Semiconductor 的家族产品在可靠性与供应链上具有较好支持。

三、工作特性与注意事项

• 温度影响：肖特基二极管的反向漏电流随温度呈指数上升，工作温度升高时 Ir 会显著增大，需在设计中预留余量。
• 电流与 Vf：Vf 随正向电流增加而上升；0.75 V 是在 1 A 条件下的参考值，低电流时 Vf 更低，高电流时则更高。
• 散热与额定电流：1 A 为器件在规定散热条件下的平均整流电流。实际应用中应考虑 PCB 铜箔散热、环境温度和空气流动，必要时做热仿真或热试验。
• 浪涌能力：肖特基器件的非重复峰值浪涌电流（IFSM）和短时脉冲承受能力受封装和结温限制，具体数值以数据手册为准，设计时应避免长期临界冲击。
• 反向耐压限制：在靠近 90 V 反向电压工作时，反向漏流和温升会增加，应尽量留出安全裕量。

四、典型应用场景

• 开关电源（整流、续流）与 DC-DC 变换器输出整流。
• 逆极性保护与电源输入保护（低压差情况下的导通损耗小）。
• 电池供电设备的高效率整流与功率路径控制。
• 高频脉冲整流、钳位与二极管保护电路。
• 工业与汽车电子中对中等电压（几十伏至 90 V 级）且需低损耗的整流场合。

五、PCB 布局与散热建议

• 缩短导通回路长度，降低寄生电感和电阻，改善开关性能与热散布。
• 在二极管焊盘下方和附近增加铜皮面积以增强散热，视功率损耗配合过孔（thermal vias）连接至内层或底层散热铜箔。
• 确保封装标识与电路方向（极性）匹配，避免安装错误。
• 在高温环境或高平均电流情况下，应评估器件结温，必要时选择更大封装或并联多只器件（并联时注意电流共享问题）。
• 遵循厂商推荐的焊接工艺与回流温度曲线，避免因过热或冷却过快造成封装应力或性能退化。

六、与同类器件比较与选型建议

• 与普通硅整流二极管相比，MBRS190T3G 的 Vf 更低、开关损耗更小，但反向漏流通常更大，且耐压等级受限于 90 V。适合追求效率和快速开关性能的场合，但对高温反向漏流敏感的设计需谨慎。
• 若工作电流或散热需求更大，可考虑更大封装（例如 SMBJ/SMC 类）或更高额定电流的肖特基器件。若反向电压需求高于 90 V，应选用耐压更高的型号或采用串联方案（注意漏流和均压问题）。
• 选型要点：额定电压需大于工作最高反向电压；平均电流与浪涌能力满足负载要求；在高温工况下对 Ir 的容忍度要足够。

七、结论与资料获取

MBRS190T3G 在中等电压（≤90 V）与中等电流（≈1 A）应用中提供了低正向压降与快速整流优势，适用于高效率电源和保护电路。最终选型与可靠性评估应基于原厂完整数据手册（包括热阻、浪涌电流、封装机械图与焊接规范）以及具体电路的工作温度和散热条件进行验证。建议在设计初期参照 ON Semiconductor 的数据手册和应用笔记，必要时做样机测试验证。