产品名称: MBRD835LT4G
制造商: ON Semiconductor (安森美)
封装类型: DPAK (TO-252-2)
MBRD835LT4G 是一种肖特基二极管,专为高效整流和快速开关应用设计,以满足现代电源管理和高频开关电源的需求。其关键规格包括:
高效能: MBRD835LT4G 的正向压降仅为510mV @ 8A,这使其在大电流条件下依然能够维持较低的能量损耗,从而提高整体能效,适用于需要高效率的开关电源设计。
广泛的电流和电压范围: 该二极管的 35V 最大反向电压和 8A 的平均整流电流适用于多种中等功率应用,包括 AC/DC 转换器和 DC/DC 转换器。
快速恢复特性: 快速恢复时间 ≤ 500ns 使得该二极管在高频开关应用中表现优秀,可以减少开关损耗并改善系统整体的性能。
低反向泄漏电流: 在 35V 时反向泄漏电流仅为1.4mA,这对于提升设备的可靠性和稳定性至关重要,尤其是在高温应用环境中。
耐高温性能: MBRD835LT4G的工作温度范围从-65°C至150°C,表明其非常适合于恶劣环境条件下工作,并能在高温条件下保持高可靠性。
MBRD835LT4G 适用于多种应用场景,包括但不限于:
MBRD835LT4G 是一款优秀的肖特基二极管,凭借其低正向压降、高额定电流、高反向电压和快速恢复特性,广泛适用于现代电子设备和电源管理中。无论是在高频开关电源、整流模块还是在汽车电子及工业设备中,MBRD835LT4G 都能提供出色的可靠性和效率,帮助工程师在设计中实现更高的性能。
在选择合适的二极管元件时,MBRD835LT4G 提供的性能参数使其成为理想的解决方案,能够满足对高效和高稳定性需求的各类应用场景。