型号:

MBRD835LT4G

品牌:ON(安森美)
封装:DPAK
批次:24+
包装:编带
重量:0.438g
其他:
-
MBRD835LT4G 产品实物图片
MBRD835LT4G 一小时发货
描述:肖特基二极管 510mV@8A 35V 1.4mA@35V 8A TO-252-2(DPAK)
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商品单价
梯度内地(含税)
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2.35
100+
1.81
1250+
1.57
2500+
1.5
产品参数
属性参数值
正向压降(Vf)510mV@8A
直流反向耐压(Vr)35V
整流电流8A
反向电流(Ir)1.4mA@35V

MBRD835LT4G 产品概述

产品名称: MBRD835LT4G
制造商: ON Semiconductor (安森美)
封装类型: DPAK (TO-252-2)

一、基本参数

MBRD835LT4G 是一种肖特基二极管,专为高效整流和快速开关应用设计,以满足现代电源管理和高频开关电源的需求。其关键规格包括:

  • 最大反向电压 (Vr): 35V
  • 平均整流电流 (Io): 8A
  • 正向电压降 (Vf): 510mV @ 8A
  • 反向漏电流 (Ir): 1.4mA @ 35V
  • 恢复时间: 快速恢复 ≤ 500ns,这使得它在高频切换条件下表现优异
  • 工作温度范围: -65°C 至 150°C

二、产品特点

  1. 高效能: MBRD835LT4G 的正向压降仅为510mV @ 8A,这使其在大电流条件下依然能够维持较低的能量损耗,从而提高整体能效,适用于需要高效率的开关电源设计。

  2. 广泛的电流和电压范围: 该二极管的 35V 最大反向电压和 8A 的平均整流电流适用于多种中等功率应用,包括 AC/DC 转换器和 DC/DC 转换器。

  3. 快速恢复特性: 快速恢复时间 ≤ 500ns 使得该二极管在高频开关应用中表现优秀,可以减少开关损耗并改善系统整体的性能。

  4. 低反向泄漏电流: 在 35V 时反向泄漏电流仅为1.4mA,这对于提升设备的可靠性和稳定性至关重要,尤其是在高温应用环境中。

  5. 耐高温性能: MBRD835LT4G的工作温度范围从-65°C至150°C,表明其非常适合于恶劣环境条件下工作,并能在高温条件下保持高可靠性。

三、应用场合

MBRD835LT4G 适用于多种应用场景,包括但不限于:

  • 电源供应: 在AC/DC转换器和DC/DC转换器的设计中,用于整流和反向电压保护,确保设备的稳定性和安全性。
  • 数据中心: 由于其高效率和低热量发散特性,可用于数据中心的电源模块,帮助减少电力损失并提高系统能效。
  • 电动工具: 在电动工具和其他便携式电源设备中,MBRD835LT4G 可用于实现高效的功率转换和电流整流。
  • 电动车及可再生能源: 在电动车充电装置和可再生能源系统中,用于大功率整流,增强系统的整体性能。

四、总结

MBRD835LT4G 是一款优秀的肖特基二极管,凭借其低正向压降、高额定电流、高反向电压和快速恢复特性,广泛适用于现代电子设备和电源管理中。无论是在高频开关电源、整流模块还是在汽车电子及工业设备中,MBRD835LT4G 都能提供出色的可靠性和效率,帮助工程师在设计中实现更高的性能。

在选择合适的二极管元件时,MBRD835LT4G 提供的性能参数使其成为理想的解决方案,能够满足对高效和高稳定性需求的各类应用场景。