M95M01-DFMN6TP 产品概述

一、产品简介

M95M01-DFMN6TP 是意法半导体（ST）系列的 SPI 接口串行 EEPROM，存储容量 1 Mbit（128 kB），针对工业级和消费类低功耗系统优化设计。器件支持宽工作电压与宽温度范围，适合对数据保持性和写入寿命有较高要求的应用场合。

二、主要规格参数

• 接口类型：SPI 串行接口，兼容标准 SPI 协议，最大时钟频率 fc = 16 MHz
• 存储容量：1 Mbit（128 kB）
• 工作电压：1.7 V ~ 5.5 V（支持低压电源和 5 V 系统）
• 写周期时间（Tw）：典型 5 ms（单次写入完成时间）
• 数据保持（TDR）：200 年
• 擦/写周期寿命：4,000,000 次（高耐久）
• 工作温度：-40 ℃ ~ +85 ℃
• 封装：8-SO（SO-8）

三、关键特性与优势

• 宽电压范围：1.7 V 起动，便于与低功耗 MCU、锂电池供电系统直接配合，亦兼容 5 V 逻辑。
• 高耐久与超长保持：400 万次写周期和 200 年的数据保持，适合频繁更新且需长期保存配置或日志的场景。
• 标准 SPI 接口：简单的四线 SPI 通讯，易于在现有系统中替换或扩展，最高 16 MHz 时钟可满足较高吞吐需求。
• 工业级温度范围：-40 ℃ 至 +85 ℃，可靠性高，适合工业与车载周边环境（需按系统规范评估）。

四、典型应用场景

• 参数存储与系统配置（MCU 引导参数、校准系数）
• 数据记录与循环日志（事件记录、运行统计）
• 消费类与工业控制器的固件配置备份
• 安防、仪表及少量频繁写入的非易失性缓存

五、设计与使用建议

• 电源完整性：在 VCC 引脚附近放置 0.1 µF 陶瓷去耦电容，降低电源噪声，保证写操作期间电压稳定。
• 写入管理：写操作典型需要 5 ms。建议在写入后通过读取状态寄存器中的写入完成标志（WIP）或延时确认写入完成，避免在写周期内掉电导致数据不一致。
• 保护策略：若系统支持，请启用器件的写保护功能（硬件或软件）；在多主 SPI 总线环境下，确保片选（CS）和时钟线的正确释放与防抖处理。
• 电平匹配：当 MCU 电压与 EEPROM 电压不同时，考虑使用电平移位或选择共同电源域以避免接口损伤。
• 环境评估：在极端温度或高辐射场合应进一步做应力验证，确保长期可靠运行。

六、封装与采购信息

• 品牌：ST（意法半导体）
• 封装：8-SO（SO-8）封装，适用于通用 PCB 布局，焊接与手板验证方便。
• 型号：M95M01-DFMN6TP（请在采购前核对完整器件编号与封装代码，确保与系统需求一致）。

本产品以其宽电压、长数据保持与高写入寿命的特点，适合需要高可靠性存储的嵌入式系统与工业应用。在具体设计中，请参照器件完整数据手册并结合系统级测试与验证。