型号:

BF823,215

品牌:Nexperia(安世)
封装:TO-236AB
批次:-
包装:编带
重量:1g
其他:
BF823,215 产品实物图片
BF823,215 一小时发货
描述:三极管(BJT) 250mW 250V 50mA PNP SOT-23
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商品单价
梯度内地(含税)
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4.06
100+
3.38
750+
3.13
1500+
2.98
3000+
2.86
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)50mA
集射极击穿电压(Vceo)250V
功率(Pd)250mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)50@25mA,20V
特征频率(fT)60MHz
集电极截止电流(Icbo)10nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)800mV@30mA,5mA

产品概述:BF823,215

一、产品简介

BF823,215 是一款由知名半导体制造商 Nexperia(安世)提供的 PNP 型三极管(BJT),其专为高效能和高可靠性应用而设计。该器件采用 TO-236-3(也称为 SOT-23-3)封装,适合表面贴装技术,广泛应用于低功耗放大、开关电路、驱动电路等领域。其关键电气特性包括最大集电极电流(IC)为50mA,集射极击穿电压(VCE)最高可达250V,具有良好的频率响应性能(跃迁频率高达60MHz)。

二、技术参数

  1. 晶体管类型:PNP
  2. 最大集电极电流 (Ic):50mA
  3. 最大集射极击穿电压 (VCE):250V
  4. 饱和压降 (Vce sat):在5mA和30mA时最大为800mV
  5. 集电极截止电流 (ICBO):最大为10nA
  6. 直流电流增益 (hFE):最小值为50(在25mA、20V下测量)
  7. 最大功率:250mW
  8. 跃迁频率:高达60MHz
  9. 工作温度:最高可达150°C
  10. 封装类型:TO-236AB
  11. 供应商器件封装:TO-236-3/SOT-23-3

三、主要特点

  • 高电压耐受性:BF823,215 具备高达250V的集射极击穿电压,能够有效应对高电压应用场景,确保在工作环境中的安全性和可靠性。

  • 低饱和压降:在典型应用中,BF823,215 可实现低至800mV的饱和压降,这使得其在开关应用中能够显著提高效率,降低能量损耗。

  • 优良的频率特性:其60MHz的跃迁频率使得BF823,215能够在高频信号处理及开关应用中表现出色,适合用于信号放大和信号调制等场景。

  • 宽工作温度范围:BF823,215的工作温度上限达到150°C,非常适合在恶劣环境下的应用需求,例如汽车电子、工业控制等领域。

  • 小型封装:其SOT-23-3封装设计使得BF823,215适合小型化电子产品,节省板面空间,提供更多的设计灵活性。

四、应用领域

BF823,215的设计特性使其适用于多种应用,包括但不限于:

  • 音频放大:可用于音频信号的放大器设计,尤其是在低功耗和高线性度要求的场景。
  • 开关电路:可在低电流开关电路中广泛应用,适用于控制灯光、马达等负载。
  • 驱动电路:在继电器和其他负载驱动电路中,这种三极管能够作为有效的信号放大器。
  • RF应用:可用于射频放大和匹配网络,尤其适合需要快速开关和高带宽的应用场合。

五、结论

总的来说,BF823,215 是一款性能优越且适用范围广泛的 PNP 三极管,凭借其卓越的电气特性和可靠的耐压性能,在众多电子设计中提供了解决方案。无论是用于高频信号处理还是低功耗开关应用,BF823,215均展现了其独特的价值和表现。通过合理的配置和设计,该元器件能够有效提升整个电路的性能。